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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ABS15M Taiwan Semiconductor Corporation abs15m 0.1800
RFQ
ECAD 5369 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs15 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
BZT55C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V7 0.0350
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C4V7TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
S1JFS Taiwan Semiconductor Corporation S1JFS 0.0525
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 S1J 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
ES1A Taiwan Semiconductor Corporation ES1A -
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es1atr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BZD27C62P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62P MQG -
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
SFF10L05GAH Taiwan Semiconductor Corporation sff10l05gah 0.4385
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ECAD 9051 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF10L05 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SFF10L05GAH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 300 v 10A 1.3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR4060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4060PT C0G -
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ECAD 9293 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR4060 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 700 mV @ 20 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS1KL Taiwan Semiconductor Corporation RS1KL 0.0725
RFQ
ECAD 5499 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PH 0.3075
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ECAD 5702 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C150PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
BZT55C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V3 0.0350
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C3V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
SR003HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003HA0G -
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR003 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550MV @ 500 MA 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4V, 1MHz
BZD27C180PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHRVG 0.1094
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
1PGSMA4755H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4755h 0.1156
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4755 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
BZX55C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C68 A0G -
RFQ
ECAD 1145 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 51 v 68 v 160 옴
BZT52C2V4-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G 0.0445
RFQ
ECAD 8474 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C2V4-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
TUAU10MH Taiwan Semiconductor Corporation tuau10mh 0.3453
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ECAD 4352 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuau10 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuau10mhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.9 V @ 10 a 80 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 43pf @ 4v, 1MHz
SS15 Taiwan Semiconductor Corporation SS15 0.1560
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS15TR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR40150PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR40150pth 2.1834
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ECAD 7836 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR40150 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 40a 1.01 V @ 40 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1650HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1650HMNG -
RFQ
ECAD 8501 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1650 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 16 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SS12LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMHG -
RFQ
ECAD 9698 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
F1T6GH Taiwan Semiconductor Corporation f1t6gh 0.0790
RFQ
ECAD 3174 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T6 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C56PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56PHRFG -
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 43 v 56 v 60 옴
SFT17G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT17G R0G -
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT17 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES1GL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL MTG -
RFQ
ECAD 8677 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1MHz
SRS1060 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1060 0.6690
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1060 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-srs1060tr 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
UG06C A0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06C A0G -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
TSD20H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD20H200CW 1.2342
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TSD20 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800
MBRF790 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF790 C0G -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF790 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
SF12G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12G R0G -
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF12 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SS215L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L 1 0.3015
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고