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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MBRF790 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF790 C0G -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF790 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
SF12G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12G R0G -
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF12 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1SS355 Taiwan Semiconductor Corporation 1SS355 0.0315
RFQ
ECAD 4643 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS3 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1SS35TT 귀 99 8541.10.0080 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 500mv, 1MHz
SS36L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L RTG -
RFQ
ECAD 1055 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52B33 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 23 v 33 v 80 옴
SR305HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr305ha0g -
RFQ
ECAD 1948 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR305 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MUR320S Taiwan Semiconductor Corporation MUR320 0.2139
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR320 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SFAF2007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007GHC0G -
RFQ
ECAD 9554 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF2007 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1MHz
BZT55C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C30 0.0350
RFQ
ECAD 8049 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C30TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
ES3DV R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R6 -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3dvr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZD17C75P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P 깔개 -
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 100 옴
HS5F V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5F V7G 1.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5F 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C68P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P MQG -
RFQ
ECAD 4926 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
1PGSMB5949H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5949h 0.1798
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
BZV55B2V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V7 L1G -
RFQ
ECAD 7975 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
BZV55B15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B15 L0G 0.0357
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
1N4744AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744AH 0.1188
RFQ
ECAD 5688 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N4754G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754G R0G 0.0627
RFQ
ECAD 6366 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4754 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
2A07GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GH 0.0760
RFQ
ECAD 7136 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A07 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5356 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5356 R7g -
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 14.4 v 19 v 3 옴
BAT42W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAT42W RHG 0.3600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT42 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
DBL153G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL153G C1G -
RFQ
ECAD 6912 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DBL153 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
1PGSMC5348 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5348 v7g -
RFQ
ECAD 4554 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5348v7gtr 귀 99 8541.10.0050 850 5 µa @ 8.4 v 11 v 3 옴
S1BB Taiwan Semiconductor Corporation S1BB -
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S1BBTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
HS1G Taiwan Semiconductor Corporation HS1G 0.4500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA HS1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS23L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS23L RVG 0.2625
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS23 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
MTZJ15SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ15SC 0.0305
RFQ
ECAD 7273 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj15 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ15SCTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 11 v 14.72 v 40
RS1JHR3G Taiwan Semiconductor Corporation rs1jhr3g -
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1PGSMA4748H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4748h 0.1156
RFQ
ECAD 1803 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4748 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
TSZL52C5V1-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C5V1-F0 RWG -
RFQ
ECAD 8944 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C5V1-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 NA @ 800 MV 5.1 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고