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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
Bzy55B12	0.0583	RFQ	8712	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZY55B12TR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	20 옴
BZT55C11	0.0350	RFQ	9221	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT55C11TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 8.2 v						11 v	20 옴
pu6bbh	0.6900	RFQ	2	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		940 MV @ 6 a	25 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	105pf @ 4V, 1MHz
BZT55B27	0.0389	RFQ	7085	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT55B27TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
MUR305S R7G	-	RFQ	6053	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR305	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SFF1602GHC0G	-	RFQ	2592	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1602	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	80pf @ 4V, 1MHz
SF1604PT C0G	-	RFQ	4538	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	SF1604	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4V, 1MHz
KBL407G	1.1736	RFQ	8743	대만 대만 회사	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBL	KBL407	기준		KBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 4 a		10 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv
bzy55c11 Ryg	0.0350	RFQ	2498	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 8.2 v						11 v	20 옴
MUR310S R6G	-	RFQ	1515	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR310SR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
ZM4749A L0G	0.0830	RFQ	4861	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AB, MELF	ZM4749		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 18.2 v						24 v	25 옴
BZT52B18S	0.0340	RFQ	3680	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B18str	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		45 NA @ 12.6 v						18 v	45 옴
1SMA4757HR3G	-	RFQ	1392	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4757		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							1 µa @ 38.8 v						51 v	95 옴
MBRS10100CT-Y	0.4091	RFQ	3991	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS10100	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRS10100CT-YTR	귀 99	8541.10.0080	1,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	950 MV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C22PHMQG	-	RFQ	1164	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v						22.05 v	15 옴
UGF1005GH	0.5148	RFQ	5582	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	UGF1005	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GUF1005GH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	300 v	10A	1.25 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 175 ° C
HS5FH	0.2928	RFQ	1881	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS5FHTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	80pf @ 4V, 1MHz
S8GC R7	-	RFQ	6633	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-s8gcr7tr	귀 99	8541.10.0080	850	짐		400 v		985 MV @ 8 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	48pf @ 4V, 1MHz
DBLS105GHC1G	-	RFQ	5303	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS105	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		2 µa @ 600 v		1 a		단일 단일	600 v
BZX55C13 A0G	-	RFQ	3721	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 10 v						13 v	26 옴
MTZJ18SB	0.0305	RFQ	3776	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj18		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ18SBTR	귀 99	8541.10.0050	10,000							200 na @ 13 v						17.26 v	45 옴
S1KLH	0.0738	RFQ	9245	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123		기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S1KLHTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C62PHRUG	0.2933	RFQ	7030	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47 v						62 v	80 옴
1pgsmc5353 R7g	-	RFQ	9962	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850							1 µa @ 12.2 v						16 v	3 옴
BZT55B36	0.0389	RFQ	7135	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT55B36TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	80 옴
BZT52B8V2-G RHG	0.0461	RFQ	1866	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
MTZJ36SB	0.0308	RFQ	4316	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj36		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ36SBTR	귀 99	8541.10.0050	10,000							200 na @ 27 v						33.64 v	75 옴
es3d r6g	-	RFQ	4216	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-es3dr6gtr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V7-G	0.0461	RFQ	8616	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B4V7-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
HS2FAH	0.0948	RFQ	7058	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-hs2fahtr	귀 99	8541.10.0080	15,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 1.5 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²