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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C100P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P RFG -
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
KBP306G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP306G C2G -
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
BZS55C16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 RXG 0.0340
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
MBR2060PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PT 1.4413
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR2060 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 950 MV @ 20 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFAF1007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1007GHC0G -
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1007 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 10 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
MBR30L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L100CTHC0G -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 770 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBP205G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP205G C2G -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
HER157GH Taiwan Semiconductor Corporation HER157GH 0.1203
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her157GHtr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RVG 0.6700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SF18G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G R1G -
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF18 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1M130ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M130ZHB0G -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 98.8 v 130 v 700 옴
SS34LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS34LHMHG -
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
UF1A Taiwan Semiconductor Corporation UF1A -
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-uf1atr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
PUAD6DC Taiwan Semiconductor Corporation PUAD6DC 0.8300
RFQ
ECAD 1916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 윈스 윈스 - 1 (무제한) 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 6A 950 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
1PGSMB5952HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5952hr5g -
RFQ
ECAD 7642 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5952 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
GPAS1001 MNG Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1001 MNG -
RFQ
ECAD 6713 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB GPAS1001 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 50 v 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
HS1DL RUG Taiwan Semiconductor Corporation hs1dl l -
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SRA1040 Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 -
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRA1040 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
SRAS20150 Taiwan Semiconductor Corporation SRAS20150 1.0743
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS20150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 20 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BA158G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158G A0G -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA158 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C160P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P RTG -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
MUR360S Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S 0.2299
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR360 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
S2JH Taiwan Semiconductor Corporation S2JH 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
MBRS4060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CTH 1.0110
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS4060 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS4060CTHTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 1 V @ 40 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C
SK52C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C M6G -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK52 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
S1KLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHRUG -
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
S3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3B R7g -
RFQ
ECAD 4042 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 100 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
SS210L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L MTG -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SD103CW Taiwan Semiconductor Corporation SD103CW 0.0578
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SD103CWTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 5 µa @ 20 v 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
BZD17C16P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P 0.2625
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD17C16PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고