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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5392G B0G	-	RFQ	6887	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5392	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		100 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
SS24 R5G	0.6000	RFQ	6	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS24	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
KBL403G T0G	-	RFQ	9101	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBL		기준		KBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBL403GT0G	귀 99	8541.10.0080	500					1.1 v @ 4 a		10 µa @ 200 v		4 a		단일 단일	200 v
SF61G A0G	-	RFQ	8589	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF61	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		975 MV @ 6 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
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1SMA5954HR3G	-	RFQ	3388	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5954		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							500 NA @ 121.6 v						160 v	700 옴
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SFAF807G C0G	-	RFQ	7677	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF807	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	60pf @ 4V, 1MHz
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BZD27C43PHRUG	0.2933	RFQ	7823	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.97%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 33 v						43 v	45 옴
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1PGSMA4754 R3G	0.4700	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4754		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v						39 v	60 옴
BZT52C5V1K	0.0478	RFQ	7589	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C5V1KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000							2 µa @ 1.5 v						5.1 v	60 옴
ESH3C R7G	-	RFQ	5272	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		900 mV @ 3 a	20 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MUR420SHR7G	-	RFQ	4476	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR420	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.25 V @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
BZS55B12 RAG	-	RFQ	3016	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55B12RAGTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	20 옴
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BZD27C82P RTG	-	RFQ	9619	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.09%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62 v						82 v	200 옴
BZT52C9V1K RKG	0.0474	RFQ	9690	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							500 na @ 6 v						9.1 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²