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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZY55C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c3v6 0.0350
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55C3V6TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
ES3DV R7 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R7 -
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ECAD 3162 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3dvr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZV55C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C39 0.0333
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ECAD 6601 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C39TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 28 v 39 v 90 옴
HS2GH Taiwan Semiconductor Corporation HS2GH 0.1284
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ECAD 5359 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2GHTR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
GBU606HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU606HD2G -
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ECAD 6319 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU606 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
MTZJ16SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ16SB R0G 0.0305
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ECAD 9263 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ16 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 12 v 15.65 v 40
BZD27C150P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RTG -
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ECAD 1905 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
1PGSMC5367HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5367hr7g -
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ECAD 8278 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
ZM4748A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4748A 0.0830
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ECAD 1651 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4748 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4748AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
BZT52C43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43-G RHG 0.0445
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ECAD 3317 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 32 v 43 v 100 옴
BZD17C62P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P R3G 0.2625
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ECAD 6708 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
BZX79B11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B11 A0G -
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ECAD 9863 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 8 ma @ 100 mv 11 v 20 옴
SFF1001GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001GAH -
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ECAD 3084 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1001 기준 ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFF1001GAH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 50 v 10A (DC) 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF2006PT Taiwan Semiconductor Corporation SF2006pt 1.3421
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ECAD 7996 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF2006 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
SF43GH Taiwan Semiconductor Corporation SF43GH -
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ECAD 8046 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF43GHTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
BZS55C15 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C15 0.0343
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ECAD 1206 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C15TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
SRAS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2060 MNG -
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ECAD 8471 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 20 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SRA2090H Taiwan Semiconductor Corporation SRA2090H -
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ECAD 9426 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRA2090H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZX55B20 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B20 0.0301
RFQ
ECAD 4632 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55B20TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
SR503H Taiwan Semiconductor Corporation SR503H -
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr503Htr 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
BZV55B24 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B24 L1G -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
MURF1620CTH Taiwan Semiconductor Corporation murf1620cth 0.7629
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MURF1620 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MURF1620CTH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 16A 975 MV @ 8 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3D M6G -
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
PU1BLWH Taiwan Semiconductor Corporation pu1blwh 0.4000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 1 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 19pf @ 4V, 1MHz
BZD27C18P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P MQG -
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 17.95 v 15 옴
1PGSMB5945H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5945h 0.1798
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ECAD 9102 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
1PGSMB5931 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5931 r5g -
RFQ
ECAD 5092 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5931 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
SRT19 Taiwan Semiconductor Corporation SRT19 -
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, Schottky TS-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-srt19tr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 28pf @ 4V, 1MHz
S1GM Taiwan Semiconductor Corporation S1GM 0.3700
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ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,000 400 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
TSS54U Taiwan Semiconductor Corporation TSS54U 0.0857
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ECAD 4598 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSS54 Schottky 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSS54UTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고