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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX584B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B4V3 0.0790
RFQ
ECAD 1110 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX584B4V3TR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZX55B62 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B62 A0G -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
BZY55C22 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c22 0.0350
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55C22TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
1N5223B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5223B 0.0271
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5223 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5223Btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
ZM4741A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4741A 0.0830
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4741 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4741AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
S3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation S3d R6 -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s3dr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZY55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b7v5 0.0413
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55B7V5TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
S12GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC R6 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S12GCR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZY55B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B4V3 0.0413
RFQ
ECAD 4841 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55B4V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 80 옴
BZD27C8V2P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P RTG -
RFQ
ECAD 6206 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
BZD27C22P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P RQG -
RFQ
ECAD 6561 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
BZX85C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V6 0.0645
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C5V6TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 7 옴
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation sr105h -
RFQ
ECAD 5265 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr105htr 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD27C91P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P RQG -
RFQ
ECAD 9416 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
RS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation RS2GFL 0.0888
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RS2GFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16pf @ 4V, 1MHz
BZV55B9V1 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 L0G 0.0357
RFQ
ECAD 6325 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
BZD27C43PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHRUG 0.2933
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
UG5J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG5J C0G -
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 UG5J 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD17C11P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P 0.2625
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD17C11PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
BZD27C6V8P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P R3G -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.8 v 3 옴
BZD27C150P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P MTG -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
BZD27C12PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHRTG -
RFQ
ECAD 6610 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12.05 v 7 옴
F1T3GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation f1t3ghr0g -
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T3 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1PGSMA4764H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4764h 0.1156
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4764 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 350 옴
MTZJ6V8SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ6V8SC 0.0305
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj6 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj6v8sctr 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
ES3C V7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C V7G -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3C 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZX79B43 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B43 0.0305
RFQ
ECAD 8015 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79B43TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 30.1 ma @ 50 mv 43 v 150 옴
S3BH Taiwan Semiconductor Corporation S3BH -
RFQ
ECAD 7228 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3BHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C43P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P RQG -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZT52C5V1-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1-G 0.0445
RFQ
ECAD 8166 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C5V1-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고