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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
F1T1G Taiwan Semiconductor Corporation f1t1g -
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 기준 TS-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-F1T1GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4756A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756A 0.1118
RFQ
ECAD 6797 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4756 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
ZM4739A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4739A 0.0830
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4739 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4739AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
MBR20L100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CTH 1.1409
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR20L100CTH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 850 mv @ 20 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C47S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C47S 0.0357
RFQ
ECAD 2724 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C47str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 33 v 47 v 170 옴
BZD27C39PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PH 0.2933
RFQ
ECAD 9062 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C39PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
SF1604PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1604PT C0G -
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF1604 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1MHz
SFF1602GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1602GHC0G -
RFQ
ECAD 2592 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1602 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1MHz
MBRS10100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100CT-Y 0.4091
RFQ
ECAD 3991 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10100 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS10100CT-YTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBL407G Taiwan Semiconductor Corporation KBL407G 1.1736
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ECAD 8743 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL407 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
BZT52B18S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18S 0.0340
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B18str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 12.6 v 18 v 45 옴
MUR310S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S R6G -
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MUR310SR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
S8GC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S8GC R7 -
RFQ
ECAD 6633 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s8gcr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 400 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5353 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5353 R7g -
RFQ
ECAD 9962 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 12.2 v 16 v 3 옴
BZT55B36 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B36 0.0389
RFQ
ECAD 7135 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B36TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 80 옴
1SMA4757HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4757HR3G -
RFQ
ECAD 1392 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4757 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
MTZJ16SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ16SB 0.0305
RFQ
ECAD 3334 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ16 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ16SBTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 12 v 15.65 v 40
RS1JLWH Taiwan Semiconductor Corporation rs1jlwh 0.0643
RFQ
ECAD 5110 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs1jlwhtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
S2JFL Taiwan Semiconductor Corporation s2jfl 0.0825
RFQ
ECAD 2411 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S2JFLTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
FR101G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR101G A0G -
RFQ
ECAD 1978 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR101 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SR209 Taiwan Semiconductor Corporation SR209 -
RFQ
ECAD 3202 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr209tr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HS3GH Taiwan Semiconductor Corporation HS3GH 0.2152
RFQ
ECAD 4708 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS3GHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZX55B3V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V6 A0G -
RFQ
ECAD 7231 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
SS24 Taiwan Semiconductor Corporation SS24 0.0990
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZT55C4V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V3 L1G -
RFQ
ECAD 5833 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
HS2MH Taiwan Semiconductor Corporation HS2MH 0.1146
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2MHTR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
ES2FH Taiwan Semiconductor Corporation es2fh 0.1470
RFQ
ECAD 8453 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2F 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C200PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PH 0.3353
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C200PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 150 v 200 v 750 옴
S4D Taiwan Semiconductor Corporation S4D 0.1756
RFQ
ECAD 3012 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S4D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.5 µs 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
MBRS20H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CTH 0.7761
RFQ
ECAD 3195 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS20 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS20H150CTHTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 970 MV @ 20 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고