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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
S1DLH Taiwan Semiconductor Corporation s1dlh 0.1605
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S1DLHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
UF4002 Taiwan Semiconductor Corporation UF4002 -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF400 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-UF4002TR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
S12KC Taiwan Semiconductor Corporation S12KC 0.2349
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S12K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
MUR420H Taiwan Semiconductor Corporation mur420h 0.3072
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 MUR420 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 890 mV @ 4 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
FR153GH Taiwan Semiconductor Corporation FR153GH -
RFQ
ECAD 9986 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-FR153GHTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
HER157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER157G A0G -
RFQ
ECAD 4187 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER157 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T7GHA0G -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T7 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
TSP10H60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H60S S1G 1.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
S1AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AHR3G -
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 50 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
DBL102G Taiwan Semiconductor Corporation dbl102g -
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL102G 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
SR503HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr503ha0g -
RFQ
ECAD 4711 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR503 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
BZD27C20P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P RHG -
RFQ
ECAD 1717 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
SK510CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK510CHM6G -
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK510 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD27C13PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PW 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
US1BHM2G Taiwan Semiconductor Corporation US1BHM2G -
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA US1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZX79C39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C39 A0G -
RFQ
ECAD 3683 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
1N5225B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B 0.0277
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5225 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5225btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
SF16GH Taiwan Semiconductor Corporation SF16GH 0.1031
RFQ
ECAD 8390 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF16 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1SMA5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933H 0.0995
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
SS520FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS520FSH 0.1596
RFQ
ECAD 4845 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 SS520 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS520FSHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 5 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 100pf @ 4V, 1MHz
BZX55C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C47 0.0287
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C47TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 35 v 47 v 110 옴
SS14LSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LSHRVG 0.0972
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS14 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
HS1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GLW RVG 0.4800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W HS1G 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BZD27C10P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P RQG -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 7 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
ABS15J Taiwan Semiconductor Corporation abs15J 0.1800
RFQ
ECAD 3106 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs15 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
S1MLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation s1mlhm2g -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1ML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SS215L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RVG 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S10GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC R7G -
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S10G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
HER203G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER203G B0G -
RFQ
ECAD 5131 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER203 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
BZX55C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C4V7 0.0287
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzx55c4v7tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고