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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBPC2501W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2501W T0G -
RFQ
ECAD 4498 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2501 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
GBPC2502 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2502 T0G -
RFQ
ECAD 8897 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2502 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
GBPC2504M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504M T0G -
RFQ
ECAD 4698 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC2504 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBPC2504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504W T0G -
RFQ
ECAD 6110 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2504 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBPC2506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506W T0G -
RFQ
ECAD 2736 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2506 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GBPC2508M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508M T0G -
RFQ
ECAD 3765 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC2508 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBPC2510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510W T0G -
RFQ
ECAD 4829 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
GBPC35005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005M T0G -
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC35005 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
GBPC3501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3501 T0G -
RFQ
ECAD 5938 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3501 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
GBPC3504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504W T0G -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3504 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
GBPC3506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506W T0G -
RFQ
ECAD 4340 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3506 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBPC3508 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3508 T0G -
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3508 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
GBPC3508W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3508W T0G -
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3508 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
GBPC3510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510M T0G -
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC3510 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBPC40005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40005 T0G -
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC40005 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 50 v 40 a 단일 단일 50 v
GBPC4002M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4002M T0G -
RFQ
ECAD 2900 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40-M GBPC4002 기준 GBPC40-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 100 v 40 a 단일 단일 200 v
GBPC4008 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4008 T0G -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC4008 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 800 v 40 a 단일 단일 800 v
GBPC4010 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4010 T0G -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC4010 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 1000 v 40 a 단일 단일 1kv
GBPC4010M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4010M T0G -
RFQ
ECAD 7972 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40-M GBPC4010 기준 GBPC40-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 1000 v 40 a 단일 단일 1kv
GBPC5001M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5001M T0G -
RFQ
ECAD 3196 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40-M GBPC5001 기준 GBPC40-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
GBPC5002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5002 T0G -
RFQ
ECAD 4136 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC5002 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 200 v
GBPC5004 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5004 T0G -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC5004 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
GBPC5008M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008M T0G -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40-M GBPC5008 기준 GBPC40-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
SF67GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67GHB0G -
RFQ
ECAD 9202 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF67 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
SR003HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003HB0G -
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR003 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550MV @ 500 MA 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4V, 1MHz
BZD27C11P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P 깔개 -
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
MTZJ5V6SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SB R0G 0.0305
RFQ
ECAD 4355 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj5 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 2.5 v 5.59 v 60 옴
BZD27C36P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RTG -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
BZD27C91PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHRTG -
RFQ
ECAD 7201 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
BZS55B12 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B12 RXG -
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고