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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
KBU1004G T0G	-	RFQ	8389	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU1004GT0G	귀 99	8541.10.0080	500					1.1 v @ 10 a		5 µa @ 400 v		10 a		단일 단일	400 v
KBU402G T0G	-	RFQ	5486	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU402GT0G	귀 99	8541.10.0080	500					1.1 v @ 4 a		5 µa @ 100 v		4 a		단일 단일	100 v
S1G-KR3G	-	RFQ	6281	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	짐		400 v		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
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SFS1002GHMNG	-	RFQ	3064	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFS1002	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		975 MV @ 5 a	35 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	70pf @ 4V, 1MHz
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BZD17C200P MQG	-	RFQ	9721	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v						200 v	750 옴
BZD17C220P MTG	-	RFQ	5276	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 160 v						220 v	900 옴
BZD17C24P MTG	-	RFQ	2543	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.83%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18 v						24 v	15 옴
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BZD17C36P RTG	-	RFQ	5173	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v						36 v	40
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BZX85C12 R0G	0.0645	RFQ	2393	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 10 ma		500 NA @ 9.1 v						12 v	9 옴
BZX85C56 R0G	0.0645	RFQ	3093	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 10 ma		500 NA @ 39 v						56 v	120 옴
BZX85C5V1 R0G	0.0645	RFQ	1314	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 10 ma		1 µa @ 1.5 v						5.1 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²