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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
HS2DFL	0.0920	RFQ	1499	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-HS2DFLTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	21pf @ 4V, 1MHz
BZT52C51-G	0.0424	RFQ	9440	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52C		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C51-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000					1 V @ 10 ma		45 NA @ 35.7 v						51 v	180 옴
KBPF405G	0.6672	RFQ	7071	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPF	KBPF405	기준		KBPF	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-KBPF405G	귀 99	8541.10.0080	2,100					1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v		4 a		단일 단일	600 v
TS25PL05GH	4.6932	RFQ	7515	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS25	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TS25PL05GH	귀 99	8541.10.0080	1,200					920 MV @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
BZS55C22	0.0340	RFQ	8454	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55C22TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 16 v						22 v	55 옴
HERF1608GH	0.7608	RFQ	6593	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-Herf1608gh	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	1000 v	16A	1.7 V @ 8 a	80 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBPC4008	4.0753	RFQ	8861	대만 대만 회사	GBPC40	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, GBPC	GBPC4008	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-GBPC4008	귀 99	8541.10.0080	200					1.1 v @ 20 a		10 µa @ 800 v		40 a		단일 단일	800 v
ts10p06gh	1.0839	RFQ	8550	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS10	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-ts10p06gh	귀 99	8541.10.0080	1,200					1.1 v @ 10 a		10 µa @ 800 v		10 a		단일 단일	800 v
BAT54AD-G	0.1224	RFQ	1762	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BAT54AD-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 양극 양극 공통	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
M3Z5V6C	0.0294	RFQ	2027	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	M3Z5		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-m3z5v6ctr	귀 99	8541.10.0050	6,000							1 µa @ 2 v						5.6 v	30 옴
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BZT52C5V6K	0.0474	RFQ	7144	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C5V6KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000							1 µa @ 2.5 v						5.6 v	40
KBPF406G	0.6672	RFQ	2584	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPF	KBPF406	기준		KBPF	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-KBPF406G	귀 99	8541.10.0080	2,100					1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v		4 a		단일 단일	800 v
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M3Z4V3C	0.0294	RFQ	8621	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	M3Z4		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-m3z4v3ctr	귀 99	8541.10.0050	6,000							5 µa @ 1 v						4.3 v	80 옴
SRS2060H	0.7674	RFQ	7115	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS2060	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-SRS2060HTR	귀 99	8541.10.0080	1,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	700 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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TS10KL100H	0.6846	RFQ	6489	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBJL	TS10KL100	기준		KBJL	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TS10KL100H	귀 99	8541.10.0080	2,000					1 V @ 5 a		5 µa @ 1000 v		10 a		단일 단일	1kv
BZV55B16	0.0357	RFQ	6027	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZV55B16TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 12 v						16 v	40
GBU1006H	0.8559	RFQ	1918	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에시, GBU	GBU1006	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-GBU1006H	귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 10 a		5 µa @ 800 v		10 a		단일 단일	800 v
BZD17C100PH	0.3773	RFQ	2942	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C100PHTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 200 ma		1 µa @ 75 v						100 v	200 옴
BZX55B15	0.0301	RFQ	6658	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZX55B15TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 11 v						15 v	30 옴
KBPF205G	0.4266	RFQ	6517	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPF	KBPF205	기준		KBPF	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-KBPF205G	귀 99	8541.10.0080	2,100					1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
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S5DH	0.2267	RFQ	2076	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-S5DHTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.15 V @ 5 a	1.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	60pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C13	0.0669	RFQ	7118	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TSZU52C13TR	귀 99	8541.10.0050	20,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						13 v	25 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²