SIC
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다이오드(14739)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 다이오드 전압 - 역방향(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt)
BZV55B18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B18 L1G -
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 ECAD 7033 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 BZV55B 500mW 미니멜프 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1V @ 100mA 100nA @ 13V 18V 50옴
BZD27C130PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHM2G -
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 ECAD 3971 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.41% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-219AB BZD27 1W 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2V @ 200mA 100V에서 1μA 132.5V 300옴
GP1604H Taiwan Semiconductor Corporation GP1604H 0.6437
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 ECAD 1128 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 GP1604 기준 TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-GP1604H EAR99 8541.10.0080 1,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍의 세션이 시작됩니다 400V 16A 1.1V @ 8A 400V에서 10μA -55°C ~ 150°C
1PGSMC5352 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5352 0.8400
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 ECAD 4 0.00000000 대만 건설 1PGSMC53 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-214AB, SMC 1PGSMC 5W DO-214AB (SMC) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 11.5V에서 1μA 15V 3옴
SS29LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHR3G 0.3075
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 ECAD 4712 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-219AB SS29 쇼트키 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,800 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 90V 850mV @ 2A 90V에서 100μA -55°C ~ 150°C 2A -
1N5234B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5234B 0.0271
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 ECAD 1477 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N5234 500mW DO-35 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-1N5234BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1V @ 200mA 4V에서 5μA 6.2V 7옴
BZT52B68S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B68S RRG -
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 ECAD 6645 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-90, SOD-323F BZT52B 200mW SOD-323F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1V @ 10mA 45nA @ 47.6V 68V 240옴
HS2KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS2KFSH 0.0786
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 ECAD 6995 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 기준 SOD-128 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-HS2KFSHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 800V 1.7V @ 2A 75ns 800V에서 1μA -55°C ~ 150°C 2A 12pF @ 4V, 1MHz
RS3M R6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3M R6G -
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 ECAD 8559 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-RS3MR6GTR EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 1.3V @ 3A 500ns 1000V에서 10μA -55°C ~ 150°C 3A -
GBPC3506W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506W 3.7238
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 ECAD 3462 0.00000000 대만 건설 GBPC35 쟁반 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4각형, GBPC-W GBPC3506 기준 GBPC-W 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-GBPC3506W EAR99 8541.10.0080 200 1.1V @ 17.5A 600V에서 5μA 35A 단상 600V
MBRS1660 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1660 0.6433
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 ECAD 1362 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1660 쇼트키 TO-263AB(D2PAK) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-MBRS1660TR EAR99 8541.10.0080 1,600 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 16A에서 750mV 60V에서 500μA -55°C ~ 150°C 16A -
TSDGLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSDGLW RVG 0.4600
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 ECAD 13 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-123W TSDGLW 기준 SOD-123W 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 400V 400V에서 1μA -55°C ~ 175°C 1A 15pF @ 4V, 1MHz
BZD27C150PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHM2G -
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 ECAD 9123 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6.12% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-219AB BZD27 1W 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2V @ 200mA 110V에서 1μA 147V 300옴
HERAF1008G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1008G C0G -
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 ECAD 6857 0.00000000 대만 건설 - 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 스루홀 TO-220-2 풀팩 헤라프1008 기준 ITO-220AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 1.7V @ 10A 80ns 1000V에서 10μA -55°C ~ 150°C 10A 60pF @ 4V, 1MHz
ES1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL RQG -
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 ECAD 8616 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-219AB ES1F 기준 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 300V 1.3V @ 1A 35ns 300V에서 5μA -55°C ~ 150°C 1A 8pF @ 1V, 1MHz
BZD17C15P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P MQG -
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 ECAD 2293 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-219AB BZD17 800mW 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2V @ 200mA 11V에서 1μA 15V 10옴
MUR420SH Taiwan Semiconductor Corporation MUR420SH 0.2661
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 ECAD 2890 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 875mV @ 4A 25ns 200V에서 5μA -55°C ~ 175°C 4A 65pF @ 4V, 1MHz
BZT52C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43 0.0412
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 ECAD 2877 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123F BZT52C 500mW SOD-123F 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BZT52C43TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1V @ 10mA 30.1V에서 45nA 43V 150옴
BZV55B62 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B62 L1G -
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 ECAD 4180 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 BZV55B 500mW 미니멜프 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500 1V @ 100mA 47V에서 100nA 62V 150옴
MBR790 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR790 C0G -
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 ECAD 7322 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-2 MBR790 쇼트키 TO-220AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 90V 920mV @ 7.5A 90V에서 100μA -55°C ~ 150°C 7.5A -
SF45G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF45G A0G -
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 ECAD 4125 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 스루홀 DO-201AD, 축 SF45 기준 DO-201AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 300V 1.3V @ 4A 35ns 300V에서 5μA -55°C ~ 150°C 4A 80pF @ 4V, 1MHz
BZD27C130P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P 0.2888
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 ECAD 5856 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. ±6.41% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-219AB BZD27 1W 하위 SMA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2V @ 200mA 100V에서 1μA 132.5V 300옴
HS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS2MAF-T 0.1207
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 ECAD 2136 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 DO-221AC, SMA 플랫 리드 기준 SMAF 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-HS2MAF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 1.7V @ 2A 75ns 1000V에서 5μA -55°C ~ 150°C 2A 12pF @ 4V, 1MHz
PU1BFSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BFSH 0.4600
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 ECAD 23 0.00000000 대만 건설 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOD-128 기준 SOD-128 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-PU1BFSHCT EAR99 8541.10.0080 14,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 930mV @ 1A 25ns 100V에서 2μA -55°C ~ 175°C 1A 19pF @ 4V, 1MHz
MBRS1035 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035 MNG -
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 ECAD 1087 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1035 쇼트키 TO-263AB(D²PAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 800 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 35V 840mV @ 10A 35V에서 100μA -55°C ~ 175°C 10A -
BZX85C6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C6V2 A0G -
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 ECAD 7573 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 BZX85 1.3W DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V @ 10mA 3V에서 1μA 6.2V 4옴
BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6-G RHG 0.0461
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 ECAD 4684 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-123 BZT52B 410mW SOD-123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.6V 90옴
1PGSMA4747 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4747 R3G 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DO-214AC, SMA 1PGSMA4747 1.25W DO-214AC(SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 1,800 1.2V @ 200mA 15.2V에서 1μA 20V 22옴
HS2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2D R5G -
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 ECAD 4217 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 DO-214AA, SMB HS2D 기준 DO-214AA(SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 850 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 200V 1V @ 2A 50ns 200V에서 5μA -55°C ~ 150°C 2A 50pF @ 4V, 1MHz
BZX84C13 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C13 RFG 0.0511
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 ECAD 5926 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 13V 30옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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