RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD17C180P RHG	-	RFQ	5815	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 130 v				180 v	450 옴
SR210H	0.1105	RFQ	8514	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SR210	Schottky		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 2 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SR503 R0G	-	RFQ	3858	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR503	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	-
UF4003HR1G	-	RFQ	9011	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4003	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
tuau8gh	0.3108	RFQ	5927	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tuau8	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tuau8ghtr	귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 8 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	80pf @ 4V, 1MHz
sr1640pth	-	RFQ	4179	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-247-3	SR1640	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	16A	550 mV @ 8 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C
S10JC R7	-	RFQ	8475	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S10Jcr7tr	귀 99	8541.10.0080	850	짐		600 v		1.1 v @ 10 a		1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	60pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5259B RHG	0.0433	RFQ	2904	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5259		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 30 v				39 v	80 옴
SRS2060 MNG	-	RFQ	2049	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS2060	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	700 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS14LWH	0.3800	RFQ	19	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS14	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		100 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
es1jl rfg	-	RFQ	6478	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
SS210LHRHG	-	RFQ	3961	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS210	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 2 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1N5393G B0G	-	RFQ	9595	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5393	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		200 v		1 V @ 1.5 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
BZX55C3V6	0.0287	RFQ	7236	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX55C3V6TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		2 µa @ 1 v				3.6 v	85 옴
S1MLS	0.0534	RFQ	6312	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-s1mlstr	귀 99	8541.10.0080	20,000	짐		1000 v		1.3 V @ 1.2 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.2A	-
1N5818ha0g	-	RFQ	6100	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5818	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	55pf @ 4V, 1MHz
MTZJ4V3SB	0.0305	RFQ	4879	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj4		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mtzj4v3sbtr	귀 99	8541.10.0050	10,000							5 µa @ 1 v				4.3 v	100 옴
sr4020pthc0g	-	RFQ	4825	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	SR4020	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	20 v	40a	550 mV @ 20 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C
hs1dlwh	0.0906	RFQ	8689	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS1DLWHTR	귀 99	8541.10.0080	20,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
hs1dl l	-	RFQ	9564	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1D	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
S1ML	0.4700	RFQ	19	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	do-219ab	S1ML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BZX55B20 A0G	-	RFQ	9954	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 15 v				20 v	55 옴
BZX79B6V8	0.0305	RFQ	4959	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79B6v8tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 100 ma		4 ma @ 2 v				6.8 v	15 옴
SS34L R3G	-	RFQ	4085	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS34	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BZD27C27PHRFG	-	RFQ	9029	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v				27 v	15 옴
SF1602PTHC0G	-	RFQ	1461	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	SF1602	기준		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	85pf @ 4V, 1MHz
MBRF20H150CTH	0.7716	RFQ	5367	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRF20H150CTH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	970 MV @ 20 a		5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C75P R3G	-	RFQ	7959	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v				74.5 v	100 옴
1SMA4740HR3G	-	RFQ	6798	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4740		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							5 µa @ 7.6 v				10 v	7 옴
SRA1040 C0G	-	RFQ	8518	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA1040	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 10 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	10A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²