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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD17C100P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P MHG -
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
1N4006GR0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GR0 -
RFQ
ECAD 8565 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 800 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1060HC0G -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR106 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SF14G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G R1G -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF14 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SR315HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR315HB0G -
RFQ
ECAD 8922 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR315 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSSD10L100SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD10L100SW 0.8453
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSSD10 Schottky TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSD10L100SWTR 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 10 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 540pf @ 4V, 1MHz
6A100GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A100GH 0.2682
RFQ
ECAD 3697 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A100 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZV55C3V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V6 L1G -
RFQ
ECAD 3529 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
MBRF1090H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090H -
RFQ
ECAD 8425 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF1090 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF1090H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 10 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SF32GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHB0G -
RFQ
ECAD 4576 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF32 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
1N4148WS-G RVG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148WS-G RVG 0.1800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 1N4148 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°) 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
1N5819 R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5819 R1G -
RFQ
ECAD 1697 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5819 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4V, 1MHz
GPA802HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA802HC0G -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GPA802 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 100 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
S2VH Taiwan Semiconductor Corporation S2VH 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 1400 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V6K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6K RKG 0.0474
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
S5KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5KB R5G 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S5K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
1N5402G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G A0G -
RFQ
ECAD 4792 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5402 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 200 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SSL14 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL14 R3G -
RFQ
ECAD 1796 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MTZJ20SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB R0G 0.0305
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 19.11 v 55 옴
SR110H Taiwan Semiconductor Corporation SR110H 0.0816
RFQ
ECAD 5261 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR110 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
UDZS4V3B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS4V3B RRG 0.0416
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS4 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
ES1BLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation es1blhmhg -
RFQ
ECAD 3187 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G 0.0266
RFQ
ECAD 3817 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N914 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
2M47Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M47Z A0G -
RFQ
ECAD 6114 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M47 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
ES2LG R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2LG R5G -
RFQ
ECAD 6422 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2L 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PH 0.2933
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C30PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
ES2BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation es2bhr5g -
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
1SMB5946H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5946H 0.1545
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5946 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 56 v 75 v 140 옴
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0.0786
RFQ
ECAD 1248 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C43TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 32 v 43 v 100 옴
BZV55C2V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V7 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고