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다이오드 (1290)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBPC2506 Fairchild Semiconductor GBPC2506 -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC 기준 GBPC 다운로드 0000.00.0000 1 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
DF10S Fairchild Semiconductor DF10 0.2000
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DF-S 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 1 a 단일 단일 1kv
GBPC1510W Fairchild Semiconductor GBPC1510W 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0080 107
MMBD6050 Fairchild Semiconductor MMBD6050 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1.1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
MBR1660 Fairchild Semiconductor MBR1660 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 귀 99 8541.10.0080 302 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 16 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 450pf @ 4V, 1MHz
1N486B Fairchild Semiconductor 1N486B 1.0000
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1 v @ 100 ma 50 na @ 225 v 175 ° C 200ma -
1N5986B Fairchild Semiconductor 1N5986B 1.8400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
FFPF04U40DNTU Fairchild Semiconductor FFPF04U40DNTU 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 4a 1.4 v @ 4 a 45 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBD2838 Fairchild Semiconductor MMBD2838 -
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 75 v 200ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MM3Z2V4C Fairchild Semiconductor MM3Z2V4C 0.0300
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 8,663 1 V @ 10 ma 45 µa @ 1 v 2.4 v 94 옴
BZX85C4V7 Fairchild Semiconductor BZX85C4V7 0.0300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C4 1.3 w DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 4.7 v 13 옴
DF10S1 Fairchild Semiconductor DF10S1 0.3400
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4-SDIP 다운로드 귀 99 8541.10.0080 882 1.1 v @ 1 a 3 µa @ 1 v 1 a 단일 단일 1kv
1N458ATR Fairchild Semiconductor 1N458AT 0.0300
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0070 11,539 짐 150 v 1 v @ 100 ma 25 µa @ 125 v 175 ° C (°) 500ma -
KBL04 Fairchild Semiconductor KBL04 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
BAY72TR Fairchild Semiconductor bay72tr 0.0300
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0070 8,663 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 125 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 100 v 175 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
FFPF10U20DNTU Fairchild Semiconductor ffpf10u20dntu 0.2500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 1.2 v @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0.0800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41 다운로드 귀 99 8541.10.0080 3,643 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBRS130 Fairchild Semiconductor MBRS130 -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 929 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N5253B Fairchild Semiconductor 1N5253B 3.7600
RFQ
 ECAD 483 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 80 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
1N5224B Fairchild Semiconductor 1N5224B 2.4100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5224 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 125 900 mv @ 200 ma 50 µa @ 1 v 2.8 v 30 옴
FLZ33VC Fairchild Semiconductor FLZ33VC 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 18,880 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 25 v 31.7 v 55 옴
MMSZ5229B Fairchild Semiconductor MMSZ5229B -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOD-123 MMSZ52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 23 옴
MBRP3045NTU Fairchild Semiconductor MBRP3045NTU 0.7000
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 650 mV @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
MM3Z43VC Fairchild Semiconductor MM3Z43VC -
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 ma 45 NA @ 30.1 v 43 v 141 옴
MMSZ5243B Fairchild Semiconductor MMSZ5243B -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
1N458A Fairchild Semiconductor 1N458A 2.0000
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0070 8,535 짐 150 v 1 v @ 100 ma 25 µa @ 125 v 175 ° C (°) 500ma -
MM3Z3V3B Fairchild Semiconductor MM3Z3V3B 1.0000
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F MM3Z3V3 200 MW SOD-323F 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.3 v 89 옴
1N964B Fairchild Semiconductor 1N964B 2.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 149 5 µa @ 9.9 v 13 v 13 옴
DF08M Fairchild Semiconductor DF08M -
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DFM 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1,202 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
GF1B Fairchild Semiconductor GF1B -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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