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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
HZM4.3NB2TL-E Renesas Hzm4.3nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.24% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm4.3nb2tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 v 4.25 v 130 옴
RD36E-T2-AZ Renesas RD36E-T2-AZ 0.0500
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD36E-T2-AZ-1833 1
RD10P-T1-AZ Renesas RD10P-T1-AZ 0.3500
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD10P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 7 v 10 v 20 옴
HZU33B-JTRF-E Renesas hzu33b-jtrf-e 0.0700
RFQ
ECAD 159 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
HZC24TRF-E Renesas Hzc24trf-e 0.0900
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZC24TRF-E-1833 1
HZU5.6B1TRF-E-Q Renesas hzu5.6b1trf-eq 0.0500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU5.6B1TRF-EQ-1833 1
RKZ18TJKG#P1 Renesas RKZ18TJKG#P1 0.0900
RFQ
ECAD 402 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ18TJKG#P1-1833 1
RD12P(0)-T1-AZ Renesas rd12p (0) -t1 -az 0.4000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD12P (0) -T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 9 v 12 v 25 옴
RD13P(1)-T1-AZ Renesas rd13p (1) -t1 -az 0.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.54% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W. 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD13P (1) -T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 10 v 13 v 30 옴
HZM24NB2TR-E Renesas Hzm24nb2tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.19% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm24nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 19 v 24.25 v 60 옴
HZM6.8NB1TL-E Renesas Hzm6.8nb1tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 1.97% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm6.8nb1tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 6.6 v 30 옴
HZM16NB1TR-E Renesas Hzm16nb1tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm16nb1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 12 v 15.69 v 40
HZM4.7NB1TR-E Renesas hzm4.7nb1tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm4.7nb1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 v 4.52 v 130 옴
HZ18-1JREB-E Renesas HZ18-1JREB-E 0.4300
RFQ
ECAD 312 0.00000000 Renesas HZ 대부분 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZ18-1JREB-E 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 13 v
RD24P-T2-AZ Renesas RD24P-T2-AZ -
RFQ
ECAD 8161 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.83% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD24P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 19 v 24 v 70 옴
RD20P-T1-AZ Renesas RD20P-T1-AZ 0.2400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD20P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 15 v 20 v 55 옴
RKR104BKH#P1 Renesas RKR104BKH#P1 0.1700
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 리드 Schottky 터프 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RKR104BKH#P1 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 50 µa @ 40 v 150 ° C 1A 35pf @ 10V, 1MHz
HZM5.6NB2TR-E Renesas Hzm5.6nb2tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm5.6nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 2.5 v 5.61 v 80 옴
HZU3.3B2TRF-E Renesas hzu3.3b2trf-e 0.1300
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 3.7% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU3.3B2trf-e 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 1 v 3.38 v 130 옴
HZM18NB2TL-E Renesas Hzm18nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM18NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 13 v 17.96 v 45 옴
RD15P-T1-AZ Renesas RD15P-T1-AZ 0.2000
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD15P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 11 v 15 v 30 옴
HZM22NB2TL-E Renesas Hzm22nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM22NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 17 v 22.01 v 55 옴
HZU2.4BTRF-E Renesas hzu2.4btrf-e 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU2.4Btrf-e 귀 99 8541.10.0050 1 120 µa @ 1 v 2.45 v 100 옴
HVL147M1PRF-E Renesas HVL147M1PRF-E -
RFQ
ECAD 3530 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-HVL147M1PRF-E 1
RD5.6UM(91)-T1-AT Renesas Rd5.6um (91) -t1 -at -
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD5.6UM (91) -T1-AT 1
RD36FS(0)-T1-AY Renesas RD36FS (0) -t1 -ay -
RFQ
ECAD 5281 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD36FS (0) -t1-ay 1
RKP403KS-1#Q1 Renesas RKP403KS-1#Q1 -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RKP403KS-1#Q1 1
RD43P-T1-AZ Renesas RD43P-T1-AZ -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD43P-T1-AZ 1
RD33FS(0)-T1-AY Renesas RD33FS (0) -t1 -ay -
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD33FS (0) -t1-ay 1
RD39FS(0)-T1-AY Renesas RD39FS (0) -t1 -ay -
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD39FS (0) -t1-ay 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고