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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RKP403KS-1#Q1 Renesas RKP403KS-1#Q1 -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RKP403KS-1#Q1 1
HVL147M1PRF-E Renesas HVL147M1PRF-E -
RFQ
ECAD 3530 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-HVL147M1PRF-E 1
RD24P-T2-AZ Renesas RD24P-T2-AZ -
RFQ
ECAD 8161 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.83% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD24P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 19 v 24 v 70 옴
HZM4.7NB1TR-E Renesas hzm4.7nb1tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm4.7nb1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 v 4.52 v 130 옴
RD33P-T1-AZ Renesas RD33P-T1-AZ -
RFQ
ECAD 2271 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD33P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 25 v 33 v 80 옴
HZM6.8NB3TR-E Renesas hzm6.8nb3tr-e 0.1500
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm6.8nb3tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 7 v 30 옴
HZM18NB2TL-E Renesas Hzm18nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM18NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 13 v 17.96 v 45 옴
RD12P-T2-AZ Renesas RD12P-T2-AZ 0.4000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD12P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 9 v 12 v 25 옴
HZM20NB2TR-E Renesas Hzm20nb2tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.18% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM20NB2TR-E 귀 99 8541.10.0050 1,888 2 µa @ 15 v 19.96 v 50 옴
RKZ18TWAJQE#H1 Renesas RKZ18TWAJQE#H1 0.2200
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ18TWAJQE#H1-1833 1
HZM4.3NB2TL-E Renesas Hzm4.3nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.24% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm4.3nb2tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 v 4.25 v 130 옴
RD43P-T1-AZ Renesas RD43P-T1-AZ -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD43P-T1-AZ 1
HZU2.4BTRF-E Renesas hzu2.4btrf-e 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU2.4Btrf-e 귀 99 8541.10.0050 1 120 µa @ 1 v 2.45 v 100 옴
RD8.2P(2)-T1-AZ Renesas Rd8.2p (2) -t1 -az 0.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Rd8.2p (2) -t1-az 귀 99 8541.10.0050 378
RD6.8P-D-T2-AZ Renesas RD6.8P-D-T2-AZ 0.3700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W. 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD6.8P-D-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 3.5 v 6.8 v 15 옴
RKR104BKH#P1 Renesas RKR104BKH#P1 0.1700
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 리드 Schottky 터프 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RKR104BKH#P1 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 700 mA 50 µa @ 40 v 150 ° C 1A 35pf @ 10V, 1MHz
HZM22NB2TL-E Renesas Hzm22nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM22NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 17 v 22.01 v 55 옴
HZM5.6NB3TL-E Renesas Hzm5.6nb3tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm5.6nb3tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 2.5 v 5.8 v 80 옴
HZS3CLLTD-E Renesas hzs3clltd-e 0.0900
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZS3CLLTD-E-1833 1
RKZ27TWAQE#H1 Renesas RKZ27TWAQE#H1 -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ27TWAQE#H1-1833 1
HZM20NB2TL-E Renesas HZM20NB2TL-E 0.1600
RFQ
ECAD 57 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.18% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM20NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 15 v 19.96 v 50 옴
RD68P-T2-AZ Renesas RD68P-T2-AZ 0.3500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD68P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1
HZC24TRF-E Renesas Hzc24trf-e 0.0900
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZC24TRF-E-1833 1
HZU4.3B2TRF-E Renesas hzu4.3b2trf-e 0.0900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU4.3B2TRF-E-1833 1
HZU33B-JTRF-E Renesas hzu33b-jtrf-e 0.0700
RFQ
ECAD 159 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
RD7.5P-T1-AZ Renesas RD7.5P-T1-AZ 0.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD7.5P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 4 v 7.5 v 15 옴
HZ18-1JREB-E Renesas HZ18-1JREB-E 0.4300
RFQ
ECAD 312 0.00000000 Renesas HZ 대부분 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZ18-1JREB-E 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 13 v
RD36E-T2-AZ Renesas RD36E-T2-AZ 0.0500
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD36E-T2-AZ-1833 1
HZM18NB2TR-E Renesas Hzm18nb2tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 117 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm18nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 13 v 17.96 v 45 옴
RKZ16TWAJQE#H1 Renesas RKZ16TWAJQE#H1 0.2000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ16TWAJQE#H1-1833 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고