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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RD11M(0)-T1B-A Renesas RD11M (0) -T1B -A 0.1400
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD11M (0) -T1B-A 귀 99 8541.10.0050 1
RD18P-T2-AZ Renesas RD18P-T2-AZ 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD18P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 13 v 18 v 45 옴
HZM15NB1TR-E Renesas Hzm15nb1tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.19% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM15NB1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 11 v 14.15 v 40
RD16P-T1-AZ Renesas RD16P-T1-AZ 0.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD16P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 12 v 16 v 40
RKZ27TWAJQE#H1 Renesas RKZ27TWAJQE#H1 0.2200
RFQ
ECAD 177 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833 1
HZM27NB-JTR-E Renesas Hzm27nb-jtr-e 0.1500
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZM27NB-JTR-E-1833 1
HZU12B2JTRF-E Renesas hzu12b2jtrf-e 0.1000
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU12B2JTRF-E-1833 1
RD6.8FS(0)-T1-AY Renesas rd6.8fs (0) -t1 -ay 0.3000
RFQ
ECAD 750 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD6.8FS (0) -T1-AY-1833 1
RD5.1P-T1-AZ Renesas RD5.1P-T1-AZ 0.2100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD5.1P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 1 v 5.1 v 60 옴
HZU6.8B2JTRF-E Renesas hzu6.8b2jtrf-e 0.1300
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 4.93% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU6.8B2JTRF-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 30 옴
RD39P-T2-AZ Renesas RD39P-T2-AZ -
RFQ
ECAD 5446 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD39P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 30 v 39 v 130 옴
RD18P-T1-AY Renesas RD18P-T1-ay 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD18P-T1-ay 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 13 v 18 v 45 옴
HZM6.8NB1TR-E Renesas Hzm6.8nb1tr-e 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 1.97% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm6.8nb1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 6.6 v 30 옴
RKZ27TJKG#P1 Renesas RKZ27TJKG#P1 0.1100
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ27TJKG#P1 귀 99 8541.10.0050 1
RD47P-T2-AZ Renesas RD47P-T2-AZ 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD47P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0080 1
RD11P-T1-AZ Renesas RD11P-T1-AZ 0.3400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD11P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 8 v 11 v 20 옴
HZM11NB2TR-E Renesas hzm11nb2tr-e 0.1500
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.09% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm11nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 8 v 10.99 v 30 옴
HZM8.2NB2TR-E Renesas Hzm8.2nb2tr-e 0.1500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.08% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM8.2NB2TR-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 5 v 8.19 v 30 옴
RD16FM-T1-AZ Renesas RD16FM-T1-AZ -
RFQ
ECAD 3559 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD16FM-T1-AZ 1
RD56P-T1-AZ Renesas RD56P-T1-AZ 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - - 표면 표면 TO-243AA SOT-89 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD56P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1
HZM11NB2TL-E Renesas Hzm11nb2tl-e 0.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.09% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM11NB2TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 8 v 10.99 v 30 옴
HVD355BKRF-E Renesas HVD355BKRF-E 0.1000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HVD355BKRF-E-1833 1
HZM9.1NB1TL-E Renesas Hzm9.1nb1tl-e 0.1500
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM9.1NB1TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 6 v 8.75 v 30 옴
HZU24B-JTRF-E Renesas hzu24b-jtrf-e 0.0700
RFQ
ECAD 321 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU24B-JTRF-E-1833 1
HZM12NB3TL-E Renesas Hzm12nb3tl-e 0.1500
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM12NB3TL-E 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 9 v 12.34 v 35 옴
HZU30B-JTRF-E Renesas hzu30b-jtrf-e 0.0700
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU30B-JTRF-E-1833 1
HZM11NB3TR-E Renesas hzm11nb3tr-e 0.1500
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.03% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm11nb3tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 8 v 11.33 v 30 옴
RD6.2E-AZ Renesas RD6.2E-AZ 0.0600
RFQ
ECAD 139 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD6.2E-AZ-1833 1
HZM33NBTR-E Renesas Hzm33nbtr-e 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm33nbtr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 25 v 33 v 80 옴
RD27FM(D)-T1-AZ Renesas rd27fm (d) -t1 -az -
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD27FM (D) -T1-AZ 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고