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다이오드 (177)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RD3.0ES Renesas RD3.0ES -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 400MW DO-34 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-RD3.0ES-1833 1
RD16P(0)-T1-AZ Renesas rd16p (0) -t1 -az 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD16P (0) -T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 12 v 16 v 40
HZU18B2JTRF-E Renesas hzu18b2jtrf-e 0.1300
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU18B2JTRF-E 귀 99 8541.10.0050 2,308 2 µa @ 13 v 17.96 v 45 옴
RD39P-T1-AY Renesas RD39P-T1-ay 1.0000
RFQ
 ECAD 8627 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD39P-T1-ay 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 30 v 39 v 130 옴
RD30FS(0)-T1-AY Renesas rd30fs (0) -t1 -ay -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD30FS (0) -t1-ay 1
RD5.6FS(0)-T1-AY Renesas RD5.6FS (0) -t1 -ay -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-rd5.6fs (0) -t1-ay 1
HVD355BKRF-E Renesas HVD355BKRF-E 0.1000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HVD355BKRF-E-1833 1
HZU2.2BTRF-E Renesas hzu2.2btrf-e 0.1300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76A 200 MW 2-urp - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZU2.2Btrf-e 귀 99 8541.10.0050 1 120 µa @ 700 mV 2.25 v 100 옴
RD24F-AZ Renesas RD24F-AZ 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RD24F-AZ-1833 1
HZU15B3JTRF-E Renesas hzu15b3jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU15B3JTRF-E-1833 1
HSU83WTRF-E Renesas hsu83wtrf-e -
RFQ
 ECAD 5254 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-76A 기준 2-urp - 2156-HSU83wtrf-e 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.2 v @ 100 ma 100 ns 100 µa @ 300 v 150 ° C 100ma 3pf @ 0V, 1MHz
HZM11NB3TR-E Renesas hzm11nb3tr-e 0.1500
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.03% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm11nb3tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 8 v 11.33 v 30 옴
HZM13NB3TR-E Renesas Hzm13nb3tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HZM13NB3tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 10 v 13.67 v 35 옴
HZU6.2B2TRF-E-Q Renesas hzu6.2b2trf-eq 0.0500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 1
RD4.7UM-T1-AT Renesas RD4.7UM-T1-AT -
RFQ
 ECAD 9393 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RD4.7UM-T1-AT 1
HZM33NBTR-E Renesas Hzm33nbtr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm33nbtr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 25 v 33 v 80 옴
RD5.1P-T1-AZ Renesas RD5.1P-T1-AZ 0.2100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD5.1P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 1 v 5.1 v 60 옴
RD11P-T1-AZ Renesas RD11P-T1-AZ 0.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD11P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 8 v 11 v 20 옴
RD6.2P-T2-AZ Renesas RD6.2P-T2-AZ 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD6.2P-T2-AZ 귀 99 8541.10.0050 1 20 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
RKZ27TWAJQE#H1 Renesas RKZ27TWAJQE#H1 0.2200
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833 1
RD3.6FS(0)-T1-AY Renesas Rd3.6fs (0) -t1 -ay -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-rd3.6fs (0) -t1-ay 1
RD3.0P-T1-AZ Renesas RD3.0P-T1-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD3.0P-T1-AZ 귀 99 8541.10.0050 1
HZM6.8NB3TL-E Renesas Hzm6.8nb3tl-e 0.1500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm6.8nb3tl-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 7 v 30 옴
RD8.2M(1)-T1B-A Renesas RD8.2M (1) -T1B -A 0.3000
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RD8.2M (1) -T1B-A 귀 99 8541.10.0050 993
HZM6.8NB1TR-E Renesas Hzm6.8nb1tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 1.97% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm6.8nb1tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3.5 v 6.6 v 30 옴
RD5.6E-T1-AZ Renesas RD5.6E-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 5.27% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-RD5.6E-T1-AZ-1833 1 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 13 옴
HZU24B-JTRF-E Renesas hzu24b-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 321 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-HZU24B-JTRF-E-1833 1
HZU30B-JTRF-E Renesas hzu30b-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU30B-JTRF-E-1833 1
HZU3BLL-JTRF-E Renesas hzu3bll-jtrf-e 0.0700
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Renesas * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833 1
HZM22NB2TR-E Renesas Hzm22nb2tr-e 0.1600
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 ± 2.11% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-Hzm2nb2tr-e 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 17 v 22.01 v 55 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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