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다이오드 (5311)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZT52-B51X Nexperia USA Inc. BZT52-B51X 0.0417
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 100 옴
BAV23-QVL Nexperia USA Inc. BAV23-QVL 0.0508
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAV23 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAV23-QVLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 225MA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C
BAV74,215 Nexperia USA Inc. BAV74,215 0.1600
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav74 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 215MA (DC) 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
BAS16VY,165 Nexperia USA Inc. BAS16VY, 165 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAS16VY/ZL,135 Nexperia USA Inc. BAS16VY/ZL, 135 -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BAS16 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAS16VY/ZL, 135-1727 1
BAV99S-QX Nexperia USA Inc. BAV99S-QX 0.0691
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav99 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAV99S-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 100 v 200ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BAT46WJ-QF Nexperia USA Inc. BAT46WJ-QF 0.0497
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAT46WJ-QFTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 250 mA 5.9 ns 9 µa @ 100 v 150 ° C 250ma 39pf @ 0v, 1MHz
BZB84-C6V2VL Nexperia USA Inc. BZB84-C6V2VL 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C6V2 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v
1PS88SB82,165 Nexperia USA Inc. 1ps88SB82,165 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 1ps88SB82 Schottky 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 15 v 30MA (DC) 700 mV @ 30 ma 200 na @ 1 v 125 ° C (°)
BAV99QC-QZ Nexperia USA Inc. BAV99QC-QZ 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAV99 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 bav99 기준 DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BAV23,215 Nexperia USA Inc. BAV23,215 0.3700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAV23 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 225MA (DC) 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
PMEG2005BELD,315 Nexperia USA Inc. PMEG2005BELD, 315 0.4300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 PMEG2005 Schottky DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 500 mA 1.6 ns 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 500ma 31pf @ 1v, 1MHz
BZV85-C5V1,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C5V1,133 0.3900
RFQ
 ECAD 893 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C5V1 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 2 v 5.1 v 10 옴
1PS74SB23,125 Nexperia USA Inc. 1PS74SB23,125 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 1PS74SB23 Schottky 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 25 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (°) 1A 100pf @ 4V, 1MHz
PMEG100V080ELPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG100V080ELPE-QZ 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 8 a 10 ns 500 NA @ 100 v 175 ° C 8a 97pf @ 10V, 1MHz
PMEG3005EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG3005EH, 115 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG3005 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 500ma 55pf @ 1v, 1MHz
BZX84-A2V4,235 Nexperia USA Inc. BZX84-A2V4,235 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A2V4 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BAS31,235 Nexperia USA Inc. BAS31,235 0.3700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS31 눈사태 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 90 v 250MA (DC) 1 v @ 200 ma 50 ns 100 na @ 90 v 150 ° C (°)
PMEG2005EJ-QX Nexperia USA Inc. PMEG2005EJ-QX 0.1061
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG2005EJ-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 500 mA 200 µa @ 20 v 150 ° C 500ma 66pf @ 1v, 1MHz
BZB784-C11,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C11,115 0.0493
RFQ
 ECAD 5960 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C11 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PMEG4010ESBZ Nexperia USA Inc. PMEG4010ESBZ -
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-xdfn Schottky DSN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068754314 귀 99 8541.10.0080 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 610 mV @ 1 a 2.9 ns 40 V @ 40 v 150 ° C (°) 1A 22pf @ 10V, 1MHz
BAV23C,215 Nexperia USA Inc. BAV23C, 215 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 225MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
1PS79SB10X Nexperia USA Inc. 1ps79SB10X 0.0479
RFQ
 ECAD 7178 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1PS79 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-1PS79SB10XTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
PMEG1020EH-QX Nexperia USA Inc. PMEG1020EH-QX 0.0894
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1727-PMEG1020EH-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 460 mV @ 2 a 3 ma @ 10 v 150 ° C 2A 40pf @ 5V, 1MHz
PMEG2010BEV,115 Nexperia USA Inc. PMEG2010BEV, 115 0.0834
RFQ
 ECAD 7326 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMEG2010 Schottky SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1A 80pf @ 1v, 1MHz
BZX79-C51,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C51,143 0.0258
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C51 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933117960143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BAV99W/ZL115 Nexperia USA Inc. BAV99W/ZL115 0.0200
RFQ
 ECAD 1209 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 100 v 150MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BAS20,215 Nexperia USA Inc. BAS20,215 0.1500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BAV99/8,215 Nexperia USA Inc. BAV99/8,215 -
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BAS85,135 Nexperia USA Inc. BAS85,135 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS85 Schottky llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 2.3 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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