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다이오드 (5311)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX84-C6V8/DG/B3,2 Nexperia USA Inc. BZX84-C6V8/DG/B3,2 -
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065285215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BZX79-B2V7,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B2V7,133 0.2100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B2V7 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
SZMM3Z16VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z16vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12 v 16 v 20 옴
PZU10BL,315 Nexperia USA Inc. PZU10BL, 315 0.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU10 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 7 v 10 v 10 옴
BZX84W-C13-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C13-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 6246 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.42% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C13-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13.25 v 30 옴
PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESFYL 0.3900
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) PMEG3002 Schottky DSN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 9,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 470 mV @ 200 mA 1.37 ns 80 µa @ 30 v 150 ° C (°) 200ma 22pf @ 1v, 1MHz
BZX84-B7V5/DG/B3,2 Nexperia USA Inc. BZX84-B7V5/DG/B3,2 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065245215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BZT52-C4V3,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C4V3,115 1.0000
RFQ
 ECAD 9000 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZX84-C3V9/DG/B4R Nexperia USA Inc. BZX84-C3V9/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070256215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PDZ20B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ20B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ20B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 15 v 20 v 20 옴
BZV55-C56,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C56,115 0.2100
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C56 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BAV70W/SN/8F Nexperia USA Inc. BAV70W/SN/8F -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660241135 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX84W-C4V3F Nexperia USA Inc. BZX84W-C4V3F 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PZU5.6B/ZLF Nexperia USA Inc. PZU5.6B/ZLF -
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070743135 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
PMEG4010EPK/S500YL Nexperia USA Inc. PMEG4010EPK/S500YL -
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PMEG4010EPK/S500YL-1727 3,347
BZV55-B4V3,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B4V3,115 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B4V3 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BAV99QAZ Nexperia USA Inc. bav99qaz 0.3100
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAV99 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 bav99 기준 DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 90 v 170ma (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX84W-C6V2X Nexperia USA Inc. BZX84W-C6V2X 0.0313
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESFYL 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) PMEG3005 Schottky DSN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 720 MV @ 500 MA 1.42 ns 9 µa @ 30 v 150 ° C (°) 500ma 21pf @ 1v, 1MHz
PMEG4002EL,315 Nexperia USA Inc. PMEG4002EL, 315 0.2700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 PMEG4002 Schottky DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 200 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°) 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
PZU11B1A,115 Nexperia USA Inc. pzu11b1a, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU11 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
BZX84-A22-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A22-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A22-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
PZU4.3B,115 Nexperia USA Inc. PZU4.3B, 115 0.0616
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU4.3 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PNE20040EPE-QZ Nexperia USA Inc. PNE20040EPE-QZ 0.6100
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PNE20040 기준 CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 4 a 30 ns 1 µa @ 200 v 175 ° C 4a 61pf @ 4v, 1MHz
TDZ8V2J,115 Nexperia USA Inc. TDZ8V2J, 115 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ8V2 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
1N4748A,113 Nexperia USA Inc. 1N4748A, 113 0.0597
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
PMEG100T050ELPEZ Nexperia USA Inc. PMEG100T050ELPEZ 0.6700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mv @ 5 a 12 ns 2.5 µa @ 100 v 175 ° C 5a 410pf @ 1v, 1MHz
BZX8450-C7V5R Nexperia USA Inc. BZX8450-C7V5R 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5.7 v 7.5 v 15 옴
PMEG100V100ELPD146 Nexperia USA Inc. PMEG100V100ELPD146 -
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 14 ns 800 na @ 100 v 175 ° C 10A 365pf @ 1v, 1MHz
BAS21-QR Nexperia USA Inc. BAS21-QR 0.0175
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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