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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
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![]() | PZM33NB, 115 | - | ![]() | 5546 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM33 | 300MW | smt3; mpak | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 70 na @ 25 v | 33 v | 40 |
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