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다이오드 (1956)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BYD37M,115 NXP USA Inc. BYD37M, 115 -
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-87 BYD37 눈사태 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 300 ns 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 600ma 20pf @ 0V, 1MHz
BZV85-C6V8,113 NXP USA Inc. BZV85-C6V8,113 0.0400
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.3 w DO-41 다운로드 귀 99 8541.10.0050 7,969 1 V @ 50 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
BZX84-A6V8,215 NXP USA Inc. BZX84-A6V8,215 1.0000
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 ECAD 9016 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BZX384-C2V7,115 NXP USA Inc. BZX384-C2V7,115 0.0200
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 ECAD 5558 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX384 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
PZM3.3NB2,115 NXP USA Inc. PZM3.3NB2,115 -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM3.3 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX84-C62/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C62/LF1R -
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C62 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069501215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
BZX84-C3V0/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C3V0/LF1R -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C3V0 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069469215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
PZU14B2,115 NXP USA Inc. PZU14B2,115 -
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 ECAD 1631 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PZU14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
PZM5.6NB2A,115 NXP USA Inc. PZM5.6NB2A, 115 -
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM5.6 220 MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
PZM13NB2,115 NXP USA Inc. PZM13NB2,115 -
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM13 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BAT721A,215 NXP USA Inc. BAT721A, 215 0.0700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BAT72 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000
BZB984-C11,115 NXP USA Inc. BZB984-C11,115 0.0400
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOT-663 265 MW SOT-663 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PMEG3020CPAS115 NXP USA Inc. PMEG3020CPAS115 -
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 ECAD 2037 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 3,000
BZT52H-C33,115 NXP USA Inc. BZT52H-C33,115 -
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZX384-B62,115 NXP USA Inc. BZX384-B62,115 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX384 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
NZX33A,133 NXP USA Inc. NZX33A, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BZV55-C62,115 NXP USA Inc. BZV55-C62,115 -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZV55 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500
PZM8.2NB1,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB1,115 -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM8.2 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BZX384-C47115 NXP USA Inc. BZX384-C47115 -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 1.1 v @ 100 ma 50 Na @ 50 v 47 v 170 옴
BAS40-04/ZLR NXP USA Inc. BAS40-04/ZLR -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 (TO-236AB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BZX284-C6V8,135 NXP USA Inc. BZX284-C6V8,135 -
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 ECAD 7090 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 11,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
PZM3.9NB2,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB2,115 -
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM3.9 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX384-C8V2/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C8V2/ZLX -
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068955115 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 700 mV 8.2 v 15 옴
PMEG6020ETP/B115 NXP USA Inc. PMEG6020ETP/B115 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMEG6020 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 3,000
BZX84-C3V9,235 NXP USA Inc. BZX84-C3V9,235 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX84-B9V1/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B9V1/LF1R -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B9V1 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069415215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZX284-C47,115 NXP USA Inc. BZX284-C47,115 -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 90 옴
BAW62,143 NXP USA Inc. BAW62,143 -
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 baw62 기준 ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 200 ° C (() 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZX284-B2V4,115 NXP USA Inc. BZX284-B2V4,115 -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
NZX14B,133 NXP USA Inc. NZX14B, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX1 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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