전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv1n4153-1 | - | ![]() | 3212 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/337 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4153 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 880 mV @ 20 ma | 4 ns | 50 Na @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 150ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N4493US/TR | 16.0000 | ![]() | 2824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 120 v | 150 v | 700 옴 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N5530BUR-1 | 14.9100 | ![]() | 7186 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N5530 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9.1 v | 10 v | 60 옴 | |||||||||
![]() | 1N2837A | 94.8900 | ![]() | 1986 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2837 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 69.2 v | 91 v | 15 옴 | |||||||||
![]() | JAN1N2809B | - | ![]() | 3568 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/114 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2809 | 10 W. | TO-204AD (TO-3) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 8.4 v | 11 v | 0.8 옴 | ||||||||||
![]() | LSM190JE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 3054 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | LSM190 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | S3770 | 61.1550 | ![]() | 1114 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-S3770 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1206A | 35.0400 | ![]() | 6353 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/260 | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 기준 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1N1206AMS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 600 v | 1.35 V @ 38 a | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||
![]() | JAN1N4111CUR-1 | 14.5650 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4111 | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 13 v | 17 v | 100 옴 | ||||||||||
![]() | jantxv1n5522dur-1 | 61.9050 | ![]() | 5887 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N5522 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 2 v | 4.7 v | 22 옴 | |||||||||
![]() | jantxv1n4099cur-1/tr | 35.6839 | ![]() | 4397 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4099999cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 200 옴 | ||||||||||
![]() | JAN1N4991 | 12.0900 | ![]() | 4134 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 2 v | 240 v | 650 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5340CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5340 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 3 v | 6 v | 1 옴 | |||||||||
![]() | 1N5757C | 3.7200 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5757 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 53 v | 75 v | 255 옴 | |||||||||
![]() | CDLL5995 | 2.2950 | ![]() | 2751 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | CDLL5995 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6330cus/tr | 57.2550 | ![]() | 7642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantxv1n6330cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 옴 | ||||||||||||
![]() | jantx1n4478dus/tr | 49.7250 | ![]() | 9701 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 150-jantx1n4478dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 NA @ 28.8 v | 36 v | 27 | ||||||||||||
UZ8820 | 22.4400 | ![]() | 5527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | a, 축 방향 | 1 W. | a, 축 방향 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ8820 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 14.4 v | 20 v | 22 옴 | |||||||||||||
![]() | jantx1n964cur-1/tr | 13.6990 | ![]() | 8590 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n964cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | ||||||||||
![]() | 1N4757Aure3/tr | 3.8400 | ![]() | 9845 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4757aure3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 246 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | |||||||||||
![]() | JANS1N5819UR-1 | 84.5850 | ![]() | 9143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | Schottky | do-213ab (Melf, LL41) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 490 mV @ 1 a | 50 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDLL5992/tr | 2.2078 | ![]() | 4925 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5992/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 4.7 v | ||||||||||||
CDLL5916C | 7.8450 | ![]() | 9895 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5916 | 1.25 w | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 6 옴 | ||||||||||
CDLL6321 | 14.6400 | ![]() | 4079 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL6321 | 500MW | do-213ab | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 5 v | 7.5 v | 4 옴 | ||||||||||
jantxv1n4625-1/tr | 5.2535 | ![]() | 7487 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4625-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.1 v | 1500 옴 | |||||||||||
![]() | 1N5940bp/tr12 | 1.8900 | ![]() | 7619 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5940 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 32.7 v | 43 v | 53 | |||||||||
![]() | jantx1n4134ur-1/tr | 8.5652 | ![]() | 3320 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4134ur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 69.2 v | 91 v | 1200 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5999b/tr | 3.3117 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5999b/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5930BPE3/tr12 | 0.9450 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5930 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | |||||||||
![]() | JAN1N980CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 2137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N980 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 47 v | 62 v | 185 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고