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JANTXV1N4100-1 Microchip Technology jantxv1n4100-1 -
RFQ
ECAD 5478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
JANTXV1N4100C-1 Microchip Technology jantxv1n4100c-1 23.1600
RFQ
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JANTX1N4100D-1 Microchip Technology jantx1n4100d-1 19.2300
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ECAD 7234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4100 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
JAN1N4100DUR-1 Microchip Technology JAN1N4100DUR-1 28.4100
RFQ
ECAD 8465 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4100 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
JANTX1N4101DUR-1 Microchip Technology jantx1n4101dur-1 28.5450
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JANTXV1N4101DUR-1 Microchip Technology jantxv1n4101dur-1 50.1300
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ECAD 1462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4101 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.3 v 8.2 v 200 옴
JANTXV1N4102-1 Microchip Technology jantxv1n4102-1 9.0450
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JAN1N4102C-1 Microchip Technology JAN1N4102C-1 10.5000
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RFQ
ECAD 2082 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4102 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JANTX1N4102D-1 Microchip Technology jantx1n4102d-1 16.9800
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4102 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JANTX1N4102DUR-1 Microchip Technology jantx1n4102dur-1 20.7600
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4102 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JAN1N4102UR-1 Microchip Technology JAN1N4102UR-1 -
RFQ
ECAD 5149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JAN1N4103-1 Microchip Technology Jan1n4103-1 4.1400
RFQ
ECAD 5331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4103 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 7 v 9.1 v 200 옴
JAN1N4103C-1 Microchip Technology JAN1N4103C-1 10.5000
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4103 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 7 v 9.1 v 200 옴
JAN1N4104D-1 Microchip Technology JAN1N4104D-1 13.1400
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ECAD 9517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4104 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.6 v 10 v 200 옴
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ECAD 2625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.2 v 12 v 200 옴
JANTX1N4106UR-1 Microchip Technology jantx1n4106ur-1 9.7500
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ECAD 2558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4106 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.2 v 12 v 200 옴
JAN1N4107DUR-1 Microchip Technology JAN1N4107DUR-1 18.2400
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ECAD 6191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4107 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.9 v 13 v 200 옴
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ECAD 4678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4107 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.9 v 13 v 200 옴
JANTX1N4134DUR-1 Microchip Technology jantx1n4134dur-1 30.4050
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ECAD 1215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4134 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
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ECAD 2755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4134 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
JANTXV1N4135D-1 Microchip Technology jantxv1n4135d-1 28.9500
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ECAD 9014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4135 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 76 v 100 v 1600 옴
JAN1N4370C-1 Microchip Technology JAN1N4370C-1 7.4700
RFQ
ECAD 1873 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4370 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
JAN1N4370D-1 Microchip Technology JAN1N4370D-1 9.3450
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4370 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
JANTX1N4371C-1 Microchip Technology jantx1n4371c-1 11.7450
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ECAD 7053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4371 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
JANTXV1N4371DUR-1 Microchip Technology jantxv1n4371dur-1 29.5200
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ECAD 8156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4371 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
JANTXV1N4372D-1 Microchip Technology jantxv1n4372d-1 31.9500
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ECAD 5104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4372 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 3 v 29 옴
JANTXV1N4372DUR-1 Microchip Technology jantxv1n4372dur-1 -
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ECAD 1477 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 30 µa @ 1 v 3 v 29 옴
JANTX1N4460C Microchip Technology jantx1n4460c 20.7600
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4460 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 µa @ 3.72 v 6.2 v 4 옴
JANTX1N4461D Microchip Technology jantx1n4461d 23.3700
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4461 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 5 µa @ 4.08 v 6.8 v 2.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고