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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SMAJ4757CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 6234 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4757 | 2 w | DO-214AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | |||||||||
JANS1N4466US/TR | 85.9004 | ![]() | 3537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n4466us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 NA @ 8.8 v | 11 v | 6 옴 | |||||||||||
DSB2810/TR | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | Schottky, 역, | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSB2810/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 100 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 20 v | 1 V @ 35 MA | 100 na @ 15 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 75MA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
JANS1N4468CUS/TR | 246.7308 | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n4468cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 10.4 v | 13 v | 8 옴 | |||||||||||
JANS1N4619D-1 | 155.7300 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 옴 | ||||||||||||
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![]() | 1N647UR-1/TR | 3.6841 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 기준 | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n647ur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 짐 | 400 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 400ma | - | |||||||||
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![]() | jantx1n5532bur-1 | 16.8900 | ![]() | 8295 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 10.8 v | 12 v | 90 옴 | |||||||||||
1N823-1E3/tr | 4.1100 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n823-1e3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 231 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||
![]() | jantxv1n4130dur-1/tr | 32.0663 | ![]() | 6423 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4130dur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 51.7 v | 68 v | 700 옴 | ||||||||||
![]() | CDLL5263C | 6.7200 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5263C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 옴 | |||||||||||
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![]() | jantxv1n5534cur-1/tr | 44.0363 | ![]() | 7980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n5534cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 12.6 v | 14 v | 100 옴 | ||||||||||
![]() | 1N4619E3 | 2.9850 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4619E3 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 800 na @ 1 v | 3 v | 1600 옴 | |||||||||||
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![]() | JANS1N3154UR-1 | - | ![]() | 8511 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/158 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 5.5 v | 8.8 v | 15 옴 | |||||||||||
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![]() | 1N5934B | 3.0300 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1N5934 | 1.25 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N5934bms | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||
![]() | 1N5994D/TR | 4.7747 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5994d/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 3 v | 5.6 v | 25 옴 | ||||||||||
![]() | SMBG5380A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6112 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5380 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 86.4 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||
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![]() | jantx1n6342dus | 57.9000 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n6342dus | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 43 v | 56 v | 100 옴 | |||||||||||
![]() | 1N6942UTK3CS/TR | 267.4800 | ![]() | 9379 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky, 역, | Thinkey ™ 3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N6942UTK3CS/TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 460 mV @ 50 a | 5 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7000pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1 PMT5930AE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5930 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | |||||||||
1N5712-1 | 4.6800 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5712 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 20 v | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 75MA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | jantx1n914ur | 6.7950 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/116 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 1N914 | 기준 | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1.2 v @ 50 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 200ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||
![]() | CDLL5229D | 8.4150 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5229D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | |||||||||||
JAN1N3017B-1 | - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µa @ 5.2 v | 7.5 v | 4 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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