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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 최대 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
JANHCA1N4123 Microchip Technology JANHCA1N4123 13.2734
RFQ
ECAD 3367 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4123 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 29.65 v 39 v 200 옴
JANS1N4479DUS Microchip Technology JANS1N4479DUS 330.2550
RFQ
ECAD 9490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4479DUS 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 31.2 v 39 v 30 옴
JANTXV1N6320DUS/TR Microchip Technology jantxv1n6320dus/tr 68.7000
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantxv1n6320dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 2 µa @ 4 v 6.8 v 3 옴
JANTXV1N6318CUS/TR Microchip Technology jantxv1n6318cus/tr 54.9900
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantxv1n6318cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 8 옴
MPP4402-206/TR Microchip Technology MPP4402-206/tr 5.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-mpp4402-206/tr 귀 99 8541.10.0060 1,000
JANTXV1N5527DUR-1 Microchip Technology jantxv1n5527dur-1 61.9050
RFQ
ECAD 8162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N5527 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.8 v 7.5 v 35 옴
JANTX1N5519D-1 Microchip Technology jantx1n5519d-1 21.9150
RFQ
ECAD 1473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5519 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
JAN1N938BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n938bur-1/tr -
RFQ
ECAD 1184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/156 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N938BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 6 v 9 v 20 옴
1PMT5939/TR13 Microchip Technology 1 PMT5939/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 5842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5939 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
SMBJ5944AE3/TR13 Microchip Technology smbj5944ae3/tr13 0.8850
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5944 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
JANTX1N6328DUS/TR Microchip Technology jantx1n6328dus/tr 58.0500
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantx1n6328dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 11 v 15 v 10 옴
JANTX1N981B-1/TR Microchip Technology jantx1n981b-1/tr 3.2319
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N981 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANTX1N981B-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 52 v 68 v 230 옴
CDLL5540D/TR Microchip Technology CDLL5540D/TR 16.3950
RFQ
ECAD 1809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5540D/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 18 v 20 v 100 옴
1N4570-1/TR Microchip Technology 1N4570-1/tr 3.7800
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 0 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4570-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 100 옴
CDLL4927 Microchip Technology CDLL4927 98.1300
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA CDLL4927 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 15 µa @ 12 v 19.2 v 75 옴
JANS1N4623DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4623DUR-1/TR 449.6820
RFQ
ECAD 3936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4623DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 4.3 v 1.6 옴
SM0812-M1 Microchip Technology SM0812-M1 15.9750
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 1208 (3020 () M1 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-SM0812-M1 귀 99 8541.10.0060 1 1 a 1.3pf @ 50V, 1MHz 핀 - 단일 700V 400mohm @ 100ma, 100mhz
JANTXV1N3046CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n3046cur-1/tr -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1.25 w do-213ab (Melf, LL41) - 150-jantxv1n3046cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 550 옴
JANS1N3157UR-1/TR Microchip Technology JANS1N3157UR-1/TR -
RFQ
ECAD 4366 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/158 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n3157ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 5.5 v 8.4 v 15 옴
JANKCA1N4115 Microchip Technology jankca1n4115 -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n4115 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 16.72 v 22 v 150 옴
JANTX1N4625D-1/TR Microchip Technology jantx1n4625d-1/tr 11.4380
RFQ
ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4625d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 3 v 5.1 v 1500 옴
1PMT5929/TR13 Microchip Technology 1 PMT5929/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 9199 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5929 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 8 옴
1N6004UR Microchip Technology 1N6004UR 3.5850
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6004 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N6345CUS/TR Microchip Technology JANS1N6345CUS/TR 527.7150
RFQ
ECAD 4680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JANS1N6345CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 a 50 na @ 56 v 75 v 180 옴
JANTXV1N5527CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5527cur-1/tr 44.0629
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5527cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.8 v 7.5 v 35 옴
JANTXV1N4959DUS/TR Microchip Technology jantxv1n4959dus/tr 33.1950
RFQ
ECAD 8325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantxv1n4959dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 10 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
1N2829RB Microchip Technology 1N2829RB 96.0150
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2829 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 35.8 v 47 v 5 옴
1N5370BE3/TR12 Microchip Technology 1N5370BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 4500 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5370 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 40.3 v 56 v 35 옴
1N5264 Microchip Technology 1N5264 2.1000
RFQ
ECAD 3406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5264 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 44 v 60 v 170 옴
CDLL5534D/TR Microchip Technology CDLL5534D/TR 16.3950
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5534D/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 12.6 v 14 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고