SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
APTDR40X1601G Microchip Technology APTDR40X1601G 49.2100
RFQ
ECAD 4904 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTDR40 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 40 a 20 µa @ 1600 v 40 a 3 단계 1.6kV
APT60DF60HJ Microchip Technology APT60DF60HJ 20.7700
RFQ
ECAD 72 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT60DF60 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 2.3 V @ 60 a 25 µa @ 600 v 90 a 단일 단일 600 v
1N5712-1/TR Microchip Technology 1N5712-1/tr 4.8150
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/444 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5712-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 20 v 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 v -65 ° C ~ 150 ° C 75MA 2pf @ 0V, 1MHz
JANTX1N6332US/TR Microchip Technology jantx1n6332us/tr 18.2400
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantx1n6332us/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 17 v 22 v 20 옴
JANTXV1N6842U3/TR Microchip Technology jantxv1n6842u3/tr 681.6900
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-smd,, 없음 Schottky U3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6842u3/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 900 mV @ 15 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 400pf @ 5V, 1MHz
R2025 Microchip Technology R2025 33.4500
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-R2025 1
JANS1N5968CUS/TR Microchip Technology JANS1N5968CUS/TR -
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w e-melf 다운로드 150-jans1n5968cus/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 ma @ 4.28 v 5.6 v 1 옴
JANS1N6663US/TR Microchip Technology JANS1N6663US/TR -
RFQ
ECAD 1394 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/587 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 A, SQ-Mell - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6663us/tr 귀 99 8541.10.0070 1 600 v 1 V @ 400 mA -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
MSASC75W45FR/TR Microchip Technology MSASC75W45FR/TR 213.7350
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 Schottky, 역, Thinkey ™ 3 - 영향을받지 영향을받지 150-MSASC75W45FR/TR 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 760 MV @ 75 a 750 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 75a -
1N6873UTK2AS Microchip Technology 1N6873UTK2AS 259.3500
RFQ
ECAD 1555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-1N6873UTK2AS 1
JANTX1N4106D-1/TR Microchip Technology jantx1n4106d-1/tr 13.7389
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4106d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.2 v 12 v 200 옴
1N5936AE3/TR13 Microchip Technology 1N5936AE3/tr13 -
RFQ
ECAD 9743 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5936 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22.8 v 30 v 28 옴
1N4454UR/TR Microchip Technology 1N4454UR/tr 2.7900
RFQ
ECAD 3200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA - 358 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 10 ma 4 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 200ma -
CDLL5917C Microchip Technology CDLL5917C 7.8450
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5917 1.25 w do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
CD3029B Microchip Technology CD3029B 3.6043
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 1 W. 주사위 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD3029B 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 25 옴
1N2061 Microchip Technology 1N2061 158.8200
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n2061 귀 99 8541.10.0080 1 400 v 1.3 v @ 300 a 75 µa @ 400 v -65 ° C ~ 190 ° C 275A -
JANTXV1N647-1/TR Microchip Technology jantxv1n647-1/tr -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/240 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n647-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 400 v 1 V @ 400 mA 50 na @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
CDS5545DUR-1/TR Microchip Technology CDS5545DUR-1/TR -
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5545DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 50
1N7053UR-1/TR Microchip Technology 1N7053UR-1/TR 9.4500
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 귀 99 8541.10.0050 102
JAN1N4123CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4123CUR-1/TR 19.9367
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4123CUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 29.7 v 39 v 200 옴
JANKCA1N5529C Microchip Technology jankca1n5529c -
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5529c 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 8.2 v 9.1 v 45 옴
1N5344E3/TR12 Microchip Technology 1N5344E3/tr12 2.6250
RFQ
ECAD 2053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5344 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 5.9 v 8.2 v 1.5 옴
JANS1N6347D Microchip Technology JANS1N6347D 350.3400
RFQ
ECAD 9971 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N6347D 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 69 v 91 v 270 옴
JANS1N6314US/TR Microchip Technology JANS1N6314US/TR 127.1706
RFQ
ECAD 3071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6314us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
JAN1N6343C Microchip Technology JAN1N6343C 39.6300
RFQ
ECAD 4809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N6343C 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 47 v 62 v 125 옴
JANTX1N6940UTK3/TR Microchip Technology jantx1n6940utk3/tr 506.5350
RFQ
ECAD 7845 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6940utk3/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 500 mV @ 150 a 5 ma @ 15 v -65 ° C ~ 150 ° C 150a
JANTX1N6940UTK3AS/TR Microchip Technology jantx1n6940utk3as/tr 506.5350
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky Thinkey ™ 3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6940utk3as/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 500 mV @ 150 a 5 ma @ 15 v -65 ° C ~ 175 ° C 150a
JANS1N6662US/TR Microchip Technology JANS1N6662US/TR -
RFQ
ECAD 7781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/587 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 D-5A - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6662us/tr 귀 99 8541.10.0070 1 400 v 1 V @ 400 mA 50 na @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
JANTXV1N4985D Microchip Technology jantxv1n4985d 23.4600
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4985d 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 98.8 v 130 v 190 옴
JANTX1N2820B Microchip Technology jantx1n2820b -
RFQ
ECAD 6762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2820 10 W. TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 2266-JANTX1N2820B 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 18.2 v 24 v 2.6
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고