전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6642UBCC | 14.2800 | ![]() | 1141 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 1N6642 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC75H100FX/TR | - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSASC75H100FX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||
MML4402-GM2 | 5.2500 | ![]() | 197 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MML4400 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 2-SMD,, 없음 | MML4402 | 2-SMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 2pf @ 0V, 1MHz | 핀 - 단일 | 75V | 1.5ohm @ 100ma, 100MHz | ||||||||||||||||
JANS1N942B-1 | - | ![]() | 3096 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/157 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 v | 11.7 v | 30 옴 | ||||||||||||||||
Jan1n458 | - | ![]() | 7030 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/193 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N458 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 v @ 100 ma | 25 na @ 70 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 150ma | - | ||||||||||||
![]() | JANS1N5551/tr | 81.3000 | ![]() | 3233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/420 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 기준 | b, 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n5551/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 400 v | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C | 5a | - | ||||||||||||
UPS540E3/TR13 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | PowerMite®3 | UPS540 | Schottky | Powermite 3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 540 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 5a | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N2997A | 36.9900 | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N2997 | 10 W. | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 38.8 v | 51 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | jantxv1n4982dus | 51.1200 | ![]() | 8825 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4982dus | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 76 v | 100 v | 110 옴 | ||||||||||||||
![]() | Jan1n4493cus/tr | 26.9100 | ![]() | 8533 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4493CUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 120 v | 150 v | 700 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1N1203A | 34.7100 | ![]() | 9257 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N1203 | 기준 | DO-4 (DO-203AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N1203S | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 300 v | 1.2 v @ 30 a | 10 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 12a | - | |||||||||||
![]() | 1N4751CE3/TR13 | 1.1700 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4751 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 22.8 v | 30 v | 40 | ||||||||||||
jankca1n4579a | - | ![]() | 7756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/452 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n4579a | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 50 옴 | |||||||||||||||
![]() | JAN1N4101DUR-1/TR | 24.8843 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N4101DUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 6.3 v | 8.2 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | CDS3037B-1 | - | ![]() | 6501 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDS3037B-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
JANS1N6315D | 350.3400 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 쟁반 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6315 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 v | 4.3 v | 20 옴 | ||||||||||||||
![]() | 1N3035bur-1/tr | 15.4500 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 32.7 v | 43 v | 70 옴 | ||||||||||||||||
jantx1n6486us | - | ![]() | 9413 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.6 v | 10 옴 | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4972cus/tr | 41.0400 | ![]() | 6115 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-jantxv1n4972cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 29.7 v | 39 v | 14 옴 | |||||||||||||||
CDLL3037A | 15.3000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL3037 | 1 W. | do-213ab | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | jantxv1n4461c | 32.3100 | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4461 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 5 µa @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5 옴 | ||||||||||||
jantxv1n4107c-1/tr | 19.3648 | ![]() | 5530 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4107c-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9.9 v | 13 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | CDLL5244D/TR | 8.5950 | ![]() | 1363 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5244D/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 옴 | ||||||||||||||
JAN1N4959DUS | 28.2150 | ![]() | 3035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4959 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µa @ 8.4 v | 11 v | 2.5 옴 | |||||||||||||
![]() | D2660 | - | ![]() | 2097 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-D2660 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
JANTX1N4986 | 13.9650 | ![]() | 7120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4986 | 5 w | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 114 v | 150 v | 330 옴 | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4106cur-1/tr | 28.7812 | ![]() | 4128 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4106cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9.2 v | 12 v | 200 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N4107UR-1 | 3.8200 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N4107 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9.9 v | 13 v | 200 옴 | ||||||||||||
![]() | jantx1n4103dur-1 | 25.4550 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4103 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 7 v | 9.1 v | 200 옴 | ||||||||||||
JAN1N4990C | 20.7600 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4990 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 167 v | 220 v | 550 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고