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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | 1N5356C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5356 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 13.7 v | 19 v | 3 옴 | |||||||||||
CDLL5226A | 2.8650 | ![]() | 4763 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5226 | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | ||||||||||||
![]() | CDLL5525/TR | 5.9052 | ![]() | 2023 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 500MW | do-213ab | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5525/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 4.5 v | 6.2 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N6626ue3/tr | 12.2250 | ![]() | 10000 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 표준, 극성 역 | B, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n6626ue3/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 220 v | 1.35 V @ 2 a | 45 ns | 2 µa @ 220 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75A | 40pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||
![]() | ST3080D | 63.3000 | ![]() | 6146 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | ST3080 | 기준 | TO-204AA (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-st3080D | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 800 v | 15a | 1.2 v @ 15 a | 10 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 200 ° C | |||||||||||
1N958B-1E3/tr | 2.4073 | ![]() | 6830 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n958b-1e3/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 v @ 200 ma | 75 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 5.5 옴 | |||||||||||||
jantxv1n6622u/tr | 18.2700 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/585 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 표준, 극성 역 | A, SQ-Mell | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6622u/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 660 v | 1.4 V @ 1.2 a | 45 ns | 500 NA @ 660 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2A | - | ||||||||||||
![]() | 1N3269 | 151.2750 | ![]() | 3854 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 1N3269 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N3269ms | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 600 v | 1.3 v @ 300 a | 75 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 275A | - | ||||||||||
jantx1n971d-1 | 7.9800 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N971 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 21 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||
jantxv1n6346c | 37.5300 | ![]() | 6041 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6346c | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 62 v | 82 v | 220 옴 | ||||||||||||||
![]() | JANS1N4979D | 374.1920 | ![]() | 1598 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4979D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | jankca1n4116c | - | ![]() | 2504 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n4116c | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 18.25 v | 24 v | 150 옴 | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4122CE3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4122 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 27.38 v | 36 v | 200 옴 | |||||||||||
![]() | jantxv1n4480c | 33.1800 | ![]() | 2765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4480 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 34.4 v | 43 v | 40 | |||||||||||
jantxv1n6314c | 36.0300 | ![]() | 4952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6314 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 v | 3.9 v | 23 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N740 | 2.0700 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | - | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N740 | 250 MW | DO-35 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 120 v | 570 옴 | |||||||||||||
![]() | jantxv1n3348rb | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/358 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50 W. | DO-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n3348rb | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 121.6 v | 175 v | 85 옴 | ||||||||||||
![]() | CD5330B | 5.6700 | ![]() | 7429 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD5330B | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
JANS1N4118C-1 | 67.5450 | ![]() | 5687 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 20.5 v | 27 v | 150 옴 | ||||||||||||||
![]() | CDLL5277C | 6.7200 | ![]() | 1719 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5277C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 116 v | 160 v | 1700 옴 | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4129dur-1 | 36.0000 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4129 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 47.1 v | 62 v | 500 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4757UR-1 | 3.4650 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4757ur-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | UPS120EE3/TR7 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-216AA | UPS120 | Schottky | Powermite 1 (Do216-AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 530 mv @ 1 a | 10 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | 1N4758CE3/tr13 | 1.1700 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4758 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | |||||||||||
jantx1n6350cus/tr | 39.9450 | ![]() | 9503 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantx1n6350cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 91 v | 120 v | 600 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1N1347 | 45.3600 | ![]() | 3551 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N1347 | 기준 | DO-4 (DO-203AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 500 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µa @ 500 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | |||||||||||
jantx1n3027b-1 | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 15.2 v | 20 v | 22 옴 | |||||||||||||
![]() | JAN1N3913R | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/308 | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 기준 | DO-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||
![]() | 1N6008UR/TR | 3.7350 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 150-1n6008ur/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 v @ 200 ma | 22 v | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n5712ubd | 84.3000 | ![]() | 4403 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/444 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | Schottky | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 16 v | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1MHz |
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