SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JANS1N5712UBCA/TR Microchip Technology JANS1N5712ubca/tr 159.7350
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/444 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-smd,, 없음 Schottky ub - 150-jans1n5712ubca/tr 50 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 16 v 75MA 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 v -65 ° C ~ 150 ° C
JANTXV1N3024CUR-1 Microchip Technology jantxv1n3024cur-1 45.5250
RFQ
ECAD 5989 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N3024 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N5932C Microchip Technology 1N5932C 6.0300
RFQ
ECAD 3789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N5932 1.25 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
1N5344C/TR12 Microchip Technology 1N5344C/TR12 -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5344 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 5.9 v 8.2 v 1.5 옴
1N4942 Microchip Technology 1N4942 5.0700
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N4942 기준 a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 45pf @ 12v, 1MHz
JANTXV1N3018C-1/TR Microchip Technology jantxv1n3018c-1/tr 27.1187
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3018c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 4.5 옴
JAN1N4113-1/TR Microchip Technology JAN1N4113-1/TR 3.7772
RFQ
ECAD 6460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4113-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 14.5 v 19 v 150 옴
SMBJ4745AE3/TR13 Microchip Technology smbj4745ae3/tr13 0.4350
RFQ
ECAD 7439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4745 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
JAN1N4976DUS/TR Microchip Technology Jan1n4976dus/tr 29.6100
RFQ
ECAD 9427 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JAN1N4976DUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 42.6 v 56 v 35 옴
SMBG5374AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5374AE3/TR13 1.1250
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5374 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 54 v 75 v 45 옴
JANTXV1N4100D-1/TR Microchip Technology jantxv1n4100d-1/tr 25.8153
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4100d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
JANHCA1N5543C Microchip Technology JANHCA1N5543C -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5543C 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 22.4 v 25 v 100 옴
1N4695 Microchip Technology 1N4695 3.9300
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.6 v 8.7 v
JANS1N4580AUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4580AUR-1/TR 86.1150
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 150-jans1n4580aur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 50 2 µa @ 3 v 25 옴
JANTX1N5522B-1 Microchip Technology jantx1n5522b-1 7.2300
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5522 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 4.7 v 22 옴
JANTX1N5518CUR-1 Microchip Technology jantx1n5518cur-1 -
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 26 옴
1N4102UR-1/TR Microchip Technology 1N4102UR-1/TR 3.5245
RFQ
ECAD 7073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4102ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JAN1N3031DUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3031DUR-1/TR 36.2558
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3031DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 22.8 v 30 v 40
S3605 Microchip Technology S3605 61.1550
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-S3605 1
JAN1N977CUR-1 Microchip Technology JAN1N977CUR-1 11.3850
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N977 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 36 v 47 v 105 옴
SMBJ4733A/TR13 Microchip Technology SMBJ4733A/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4733 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N829UR-1 Microchip Technology 1N829UR-1 31.3800
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N829 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
UZ112 Microchip Technology UZ112 22.4400
RFQ
ECAD 7112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 a, 축 방향 3 w a, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-UZ112 귀 99 8541.10.0050 1 1 µa @ 91.2 v 120 v 325 옴
JANTXV1N4103UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n4103ur-1/tr 11.7306
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4103ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 7 v 9.1 v 200 옴
JANTXV1N4483CUS Microchip Technology jantxv1n4483cus 45.1350
RFQ
ECAD 2805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4483cus 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 44.8 v 56 v 70 옴
JANS1N4490C Microchip Technology JANS1N4490C 274.8150
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1.5 w DO-41 - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4490C 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 88 v 110 v 300 옴
CDLL5954C Microchip Technology CDLL5954C 15.6600
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5954 1.25 w do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
JANTX1N6637 Microchip Technology jantx1n6637 -
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
APT15D60BCTG Microchip Technology APT15D60BCTG 3.3000
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT15 기준 TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.8 v @ 15 a 80 ns 250 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
MNS1N5806US Microchip Technology MNS1N5806US 8.7000
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/477 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 A, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-mns1n5806us 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 160 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 10V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고