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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CDLL5226A Microchip Technology CDLL5226A 2.8650
RFQ
ECAD 4763 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5226 10 MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
CDLL5525/TR Microchip Technology CDLL5525/TR 5.9052
RFQ
ECAD 2023 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5525/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 6.2 v 30 옴
1N6626UE3/TR Microchip Technology 1N6626ue3/tr 12.2250
RFQ
ECAD 10000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, b 표준, 극성 역 B, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-1n6626ue3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 220 v 1.35 V @ 2 a 45 ns 2 µa @ 220 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.75A 40pf @ 10V, 1MHz
ST3080D Microchip Technology ST3080D 63.3000
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 ST3080 기준 TO-204AA (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-st3080D 귀 99 8541.10.0080 1 1 연결 연결 시리즈 800 v 15a 1.2 v @ 15 a 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 200 ° C
1N958B-1E3/TR Microchip Technology 1N958B-1E3/tr 2.4073
RFQ
ECAD 6830 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n958b-1e3/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 75 µa @ 5.7 v 7.5 v 5.5 옴
JANTXV1N6622U/TR Microchip Technology jantxv1n6622u/tr 18.2700
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/585 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 표준, 극성 역 A, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6622u/tr 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 660 v 1.4 V @ 1.2 a 45 ns 500 NA @ 660 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
1N3269 Microchip Technology 1N3269 151.2750
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 1N3269 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 1N3269ms 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.3 v @ 300 a 75 µa @ 600 v -65 ° C ~ 190 ° C 275A -
JANTX1N971D-1 Microchip Technology jantx1n971d-1 7.9800
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N971 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 21 v 27 v 41 옴
JANTXV1N6346C Microchip Technology jantxv1n6346c 37.5300
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6346c 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 62 v 82 v 220 옴
JANS1N4979D Microchip Technology JANS1N4979D 374.1920
RFQ
ECAD 1598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4979D 귀 99 8541.10.0050 1
JANKCA1N4116C Microchip Technology jankca1n4116c -
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n4116c 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 18.25 v 24 v 150 옴
1PMT4122CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4122CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4122 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 27.38 v 36 v 200 옴
JANTXV1N4480C Microchip Technology jantxv1n4480c 33.1800
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4480 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 na @ 34.4 v 43 v 40
JANTXV1N6314C Microchip Technology jantxv1n6314c 36.0300
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6314 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 2 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
CDLL977B Microchip Technology CDLL977B 2.8650
RFQ
ECAD 1758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL977 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 36 v 47 v 105 옴
1N4116 Microchip Technology 1N4116 2.4450
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N4116 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N4735CP/TR8 Microchip Technology 1N4735cp/tr8 2.2800
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4735 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.2 v 2 옴
LSM120G/TR13 Microchip Technology LSM120G/TR13 1.2600
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 LSM120 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
JANTXV1N649-1 Microchip Technology jantxv1n649-1 -
RFQ
ECAD 7021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/240 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N649 기준 DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 600 v 1 V @ 400 mA 50 na @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
CDLL4717/TR Microchip Technology CDLL4717/tr 3.0989
RFQ
ECAD 3359 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL4717/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 32.6 v 43 v
JANTX1N5520BUR-1/TR Microchip Technology jantx1n5520bur-1/tr 13.2202
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5520bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 3.9 v 22 옴
1PMT5941/TR13 Microchip Technology 1 PMT5941/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 7239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5941 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
JANTX1N6350 Microchip Technology jantx1n6350 12.4350
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6350 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 91 v 120 v 600 옴
JANTX1N4473CUS/TR Microchip Technology jantx1n4473cus/tr 28.3050
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantx1n4473cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 17.6 v 22 v 14 옴
1N4971/TR Microchip Technology 1N4971/tr 6.2909
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4971/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 27.4 v 36 v 11 옴
JANS1N6329C Microchip Technology JANS1N6329C 358.7400
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 b, 축 500MW b, 축 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 12 v 16 v 12 옴
1N5991UR Microchip Technology 1N5991UR 3.5850
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N5991 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
SMBJ5937AE3/TR13 Microchip Technology smbj5937ae3/tr13 0.8850
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5937 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
1N5996B Microchip Technology 1N5996B -
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N5996bms 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.2 v 6.8 v 8 옴
1N4567AUR-1 Microchip Technology 1N4567aur-1 9.4050
RFQ
ECAD 3821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N4567 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고