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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5918PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 4554 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5918 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 4 옴 | |||||||||||
![]() | 1N483B | 6.3300 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 1N483 | 기준 | DO-7 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N483bms | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1 v @ 100 ma | 100 µa @ 80 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 200ma | - | ||||||||||
jantx1n5617us | 8.5000 | ![]() | 287 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/429 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N5617 | 기준 | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.6 V @ 3 a | 150 ns | 500 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 35pf @ 12v, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N6011A | 1.9950 | ![]() | 8357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6011 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 18 v | 30 v | 95 옴 | |||||||||||
![]() | JAN1N3031DUR-1/TR | 36.2558 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N3031DUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 22.8 v | 30 v | 40 | ||||||||||||
JAN1N6638U | 6.5700 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/578 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N6638 | 기준 | D-5B | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.1 v @ 200 ma | 20 ns | 500 NA @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | 2.5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N3998 | 44.6400 | ![]() | 1961 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N3998 | 10 W. | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 2 v | 6.2 v | 1.1 | ||||||||||||
JAN1N4956US | 9.1200 | ![]() | 5403 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4956 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µa @ 6.2 v | 8.2 v | 1.5 옴 | ||||||||||||
jantx1n966dur-1/tr | 16.1329 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANTX1N966DUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | |||||||||||||
1N979A | 2.0700 | ![]() | 6653 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 1N979 | 500MW | DO-7 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 150 옴 | ||||||||||||
![]() | CDLL5222B/TR | 2.7132 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5222B/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 2.5 v | 30 옴 | ||||||||||||
1N5262B/tr | 2.0349 | ![]() | 9183 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5262b/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 39 v | 51 v | 125 옴 | |||||||||||||
![]() | JANS1N4117DUR-1 | 147.2700 | ![]() | 3975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 19 v | 25 v | 150 옴 | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4130E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 5875 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4130 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 51.68 v | 68 v | 250 옴 | |||||||||||
![]() | MBR3060CTE3/TU | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR3060 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 750 mV @ 15 a | 50 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | JANS1N4962CUS | 343.6210 | ![]() | 5344 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4962CUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5231A/TR | 2.7132 | ![]() | 6797 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5231A/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | ||||||||||||
![]() | UPS840/TR13 | 3.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | PowerMite®3 | UPS840 | Schottky | Powermite 3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 450 mV @ 8 a | 5 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||
JAN1N5539D-1/TR | 12.3823 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N5539D-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 17.1 v | 19 v | 100 옴 | |||||||||||||
JANS1N4495US | 213.2550 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 144 v | 180 v | 1300 옴 | ||||||||||||||
![]() | smbj4758e3/tr13 | 0.4350 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4758 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | |||||||||||
JAN1N4571A-1 | 5.3550 | ![]() | 2099 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/452 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4571 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 100 옴 | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5954B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 2014 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5954 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 121.6 v | 160 v | 700 옴 | |||||||||||
![]() | CDLL5225BE3 | 2.7132 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5225BE3 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 µa @ 1 v | 3 v | 29 옴 | ||||||||||||
![]() | 1 pmt5928/tr13 | 2.2200 | ![]() | 6328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5928 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.9 v | 13 v | 7 옴 | |||||||||||
![]() | Jan1n6643 | 6.0900 | ![]() | 1499 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/578 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | d, 축 방향 | 1N6643 | 기준 | D-5D | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.2 v @ 100 ma | 6 ns | 500 NA @ 75 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | jantx1n752aur-1 | 4.3050 | ![]() | 8649 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 1N752 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2.5 v | 5.6 v | 8 옴 | |||||||||||
1N4099D-1/TR | 6.3900 | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4099d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 150 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | 1N5943CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 2318 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5943 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 42.6 v | 56 v | 86 옴 | |||||||||||
![]() | 1N4740UR-1 | 3.4650 | ![]() | 5815 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 1N4740 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 |
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