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다이오드 (34409)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N4615E3/tr	3.1800	RFQ	7732	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	-			영향을받지 영향을받지	150-1n4615e3/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v				2 v	1250 옴
SMBG5341C/TR13	2.8650	RFQ	4864	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5341		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v				6.2 v	1 옴
JAN1N633333CUS	63.7050	RFQ	9312	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N633333CUS	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 18 v				24 v	24 옴
jantx1n3172r	-	RFQ	5658	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/211	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-205AB, do-9, 스터드		기준		DO-205AB (DO-9)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	800 v	1.55 V @ 940 a		10 ma @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
1N4680	3.9300	RFQ	9595	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		4 µa @ 1 v				2.2 v
jantxv1n4460c	30.7500	RFQ	7940	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4460		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1 v @ 200 ma		10 µa @ 3.72 v				6.2 v	4 옴
1N3910AR	48.5400	RFQ	7488	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3910	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.4 V @ 50 a	150 ns	15 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	50a	-
jantx1n6486cus/tr	-	RFQ	1047	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	다운로드				150-jantx1n6486cus/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µa @ 1 v				3.6 v	10 옴
jantxv1n5527c-1	23.3700	RFQ	2968	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5527		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 6.8 v				7.5 v	35 옴
1N5353/tr12	2.6250	RFQ	2303	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5353		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v				16 v	2.5 옴
jantx1n6488dus	-	RFQ	5194	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µa @ 1 v				4.3 v	9 옴
1N5802/tr	7.2000	RFQ	8568	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	a, 축 방향		기준		a, 축 방향	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5802/tr	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1MHz
JAN1N6765	-	RFQ	9004	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)		기준		TO-254	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	1.05 V @ 12 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-	12a	300pf @ 5V, 1MHz
jantx1n4245	4.7250	RFQ	2281	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/286	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	a, 축 방향	1N4245	기준		a, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	200 v	1.3 v @ 3 a	5 µs	1 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CD4474	4.4023	RFQ	4058	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	표면 표면	주사위				주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD4474	귀 99	8541.10.0050	1
1N5274-1/tr	3.2550	RFQ	4705	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5274-1/tr	귀 99	8541.10.0050	290			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 94 v				130 v	1100 옴
1N5921AE3/tr13	-	RFQ	9705	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5921		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v				6.8 v	2.5 옴
JANHCE1N5804	15.9600	RFQ	6049	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/477	대부분	활동적인			표면 표면	주사위		기준		주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCE1N5804	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1MHz
UZ8714	22.4400	RFQ	6394	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	a, 축 방향			1 W.	a, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ8714	귀 99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.6 v				14 v	12 옴
1 PMT5927A/TR13	2.2200	RFQ	3636	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5927		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	6.5 옴
SMBJ5349B/TR13	1.6650	RFQ	6126	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5349		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		2 µa @ 8.6 v				12 v	2.5 옴
SMBJ5347C/TR13	2.1900	RFQ	7132	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5347		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		5 µa @ 7.2 v				10 v	2 옴
jantx1n747d-1	7.2600	RFQ	3254	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N747		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v				3.6 v	24 옴
1N753d	5.5800	RFQ	3136	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n753d	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 1 v				6.2 v	7 옴
SMBG5370B/TR13	1.9600	RFQ	6070	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5370		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 40.3 v				56 v	35 옴
JAN1N5540C-1	11.0400	RFQ	8139	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5540		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 18 v				20 v	100 옴
JAN1N4133CUR-1/TR	11.7838	RFQ	5486	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)				DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N413333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지 합니다서서들 때서 150-JAN1N41333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 사이 까지서들들들 들자 없들은 150 주 보인 150 주)	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 66.2 v				87 v	1000 옴
S34140	39.0750	RFQ	6143	마이크로 마이크로 기술	S34	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	S341	기준		DO-5	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	1400 v	1.15 V @ 90 a		10 µa @ 1400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	45A	-
SMBJ5385A/TR13	1.6350	RFQ	7455	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v				170 v	380 옴
jantx1n5537dur-1	47.2200	RFQ	8993	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5537		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.3 v				17 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²