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다이오드 (34409)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N2240	44.1600	RFQ	9209	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-4 (DO-203AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2240	귀 99	8541.10.0080	1	짐		800 v		1.3 V @ 30 a		10 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	5a	-
jantxv1n5525cur-1	49.5150	RFQ	8702	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5525		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5 v				6.2 v	30 옴
jantx1n4981d	24.6150	RFQ	6189	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4981		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µa @ 69.2 v				91 v	90 옴
jantxv1n3031d-1	36.2100	RFQ	9265	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3031		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 22.8 v				30 v	40
1N3297R	102.2400	RFQ	2488	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드	1N3297	표준, 극성 역		DO-205AA (DO-8)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐		1400 v		1.2 v @ 200 a		50 µa @ 1400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
1N938A	9.7400	RFQ	99	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N938		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											9 v	20 옴
APT2X61DQ100J	23.3500	RFQ	2497	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT2X61	기준		ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	1000 v	60a	2.8 V @ 60 a	235 ns	100 @ 1000 v
Jan1n3038bur-1	12.7350	RFQ	2306	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3038		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 42.6 v				56 v	110 옴
jantx1n633333dus	57.9000	RFQ	2777	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6333		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 na @ 18 v				24 v	24 옴
smbj5934be3/tr13	0.8850	RFQ	4494	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5934		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v				24 v	19 옴
jantx1n2982rb	-	RFQ	4189	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µa @ 13.7 v				18 v	4 옴
1N5754B	1.8600	RFQ	1481	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5754		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		100 na @ 39 v				56 v	200 옴
JANS1N4135-1	34.0950	RFQ	9366	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		10 na @ 76 v				100 v	1500 옴
1N3155A	15.7600	RFQ	156	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N3155		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1							10 µa @ 5.5 v				8.4 v	15 옴
Jan1n4964d	19.2300	RFQ	7194	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4964		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µa @ 13.7 v				18 v	4 옴
1N4246	3.7800	RFQ	8631	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	a, 축 방향	1N4246	기준		a, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐		400 v		1.3 v @ 3 a	5 µs	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
jantx1n992dur-1/tr	-	RFQ	3593	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n992dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 152 v				200 v	2.5 옴
CD989B	2.0216	RFQ	2944	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD989B	귀 99	8541.10.0050	1
JAN1N944B-1/TR	-	RFQ	7411	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N944B-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1							15 µa @ 8 v				11.7 v	30 옴
CDS976B-1	-	RFQ	5341	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS976B-1	귀 99	8541.10.0050	50
JANHCA1N974D	-	RFQ	9934	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N974D	귀 99	8541.10.0050	100					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 27.4 v				36 v	70 옴
JAN1N4962CUS/TR	22.7100	RFQ	9666	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-JAN1N4962CUS/TR	귀 99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		5 µa @ 11.4 v				15 v	3.5 옴
1 PMT5949C/TR7	2.7600	RFQ	7694	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5949		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v				100 v	250 옴
CDLL4759A/TR	3.2319	RFQ	2448	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF				do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4759A/TR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 47.1 v				62 v	125 옴
1N5812R	65.0400	RFQ	5664	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/478	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N5812	기준		DO-203AA (DO-4)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 20 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	300pf @ 10V, 1MHz
Jan1n6635us/tr	-	RFQ	6305	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	e-melf	다운로드				150-JAN1N6635US/TR	귀 99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		25 µa @ 1 v				4.3 v	2 옴
CDS5244BUR-1/TR	-	RFQ	9566	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-				150-CDS5244BUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1
jantxv1n6910utk2cs	-	RFQ	9367	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/723	대부분	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 2		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		Thinkey ™ 2	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		15 v		520 MV @ 25 a		1.2 ma @ 15 v	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	2000pf @ 5V, 1MHz
JAN1N3910	-	RFQ	8140	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/308	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3910	기준		DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.4 V @ 50 a	200 ns	15 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	50a	-
jantxv1n3821a-1	12.5550	RFQ	8078	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3821		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v				3.3 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²