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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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LSM140 MELF | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | LSM140 | Schottky | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 580 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
jantx1n5536d-1 | 21.9150 | ![]() | 5384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5536 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 14.4 v | 16 v | 100 옴 | ||||||||||
![]() | 1N4748AGE3 | 2.9526 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N4748AGE3 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 16.7 v | 22 v | 23 옴 | ||||||||||
JANS1N4621D-1 | 155.7750 | ![]() | 6156 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3.5 µa @ 2 v | 3.6 v | 1700 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N4133UR/TR | 3.9450 | ![]() | 3582 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-STD-750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 150-1n4133UR/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 v | 87 v | 1000 옴 | ||||||||||||
![]() | SMBJ5952AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5952 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 98.8 v | 130 v | 450 옴 | |||||||||
![]() | jantxv1n2843rb | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2843 | 10 W. | TO-204AD (TO-3) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 114 v | 150 v | 75 옴 | ||||||||||
![]() | jantx1n6845u3/tr | 424.2150 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/682 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | Schottky, 역, | U3 (SMD-0.5) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n6845u3/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 720 MV @ 20 a | 100 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | 800pf @ 5V, 1MHz | ||||||||
![]() | JAN1N6312US | 15.4350 | ![]() | 3990 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6312 | 500MW | DO-35 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 27 | |||||||||
![]() | CD6348 | 2.1014 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD6348 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5712ub | 65.0700 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/444 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | Schottky | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 V @ 35 MA | - | - | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CDLL4758/tr | 3.2319 | ![]() | 8754 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL4758/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | |||||||||||
![]() | 1N6029UR | 3.5850 | ![]() | 6015 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 1N6029 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5353AE3/tr8 | 2.6250 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5353 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 11.5 v | 16 v | 2.5 옴 | |||||||||
1N5251 | 2.2650 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5251 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 16.2 v | 22 v | 29 옴 | ||||||||||||
![]() | CDLL6333/tr | 13.1404 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 500MW | do-213ab | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL6333/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 18 v | 24 v | 24 옴 | ||||||||||
![]() | smbj5371ce3/tr13 | 1.0800 | ![]() | 2790 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5371 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 43 v | 60 v | 40 | |||||||||
![]() | smbj4733/tr13 | 0.8700 | ![]() | 1548 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4733 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | |||||||||
1N827A-1E3 | 7.6800 | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N827 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N827A-1E3ms | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 5.89 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | jantx1n2988b | - | ![]() | 4543 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N2988 | 10 W. | DO-213AA (DO-4) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 7 옴 | |||||||||
![]() | 1N6000C | 4.1550 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N6000 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 8 v | 10 v | 15 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n748cur-1 | 12.0600 | ![]() | 3432 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N748 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 3.9 v | 23 옴 | |||||||||
1N4701 | 3.9300 | ![]() | 8092 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4701 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 10.6 v | 14 v | ||||||||||||
JAN1N4496CUS | 26.7600 | ![]() | 4837 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4496 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 160 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||
![]() | jantx1n3030cur-1/tr | 33.2500 | ![]() | 1522 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n3030cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | ||||||||||
jantxv1n6355cus/tr | - | ![]() | 2140 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | 다운로드 | 150-jantxv1n6355cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 152 v | 200 v | 1800 옴 | |||||||||||||
jantxv1n6640/tr | 9.6824 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/609 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6640/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 v @ 200 ma | 4 ns | 100 na @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | - | |||||||||
![]() | jantx1n6940utk3 | - | ![]() | 9395 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | |||||||||||
![]() | CD4616 | 1.8354 | ![]() | 9045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4616 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 4 µa @ 1 v | 2.2 v | 1300 옴 | ||||||||||
![]() | 1N5361AE3/tr13 | 0.9900 | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5361 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 19.4 v | 27 v | 5 옴 |
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