전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 현재 - 최대 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 커패시턴스 커패시턴스 | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GMV2154-GM1/TR | - | ![]() | 4021 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Gigamite® | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0805 (2012 5) | 0805 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GMV2154-GM1/TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.3pf @ 20V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 4.1 | C4/C20 | 600 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||
![]() | UM9415 | - | ![]() | 7732 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-um9415tr | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W. | 4pf @ 0V, 100MHz | 핀 - 단일 | 50V | 1ohm @ 50ma, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | UM7010SM | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | SQ-Mell | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM7010SMTR | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 W. | 0.9pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 1000V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | |||||||||||||||||
![]() | UMX6001B | - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | - | 축 | 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UMX6001B | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | UX9401F | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | 2-SMD | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-ux9401ftr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 4 w | 0.9pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 50V | 750mohm @ 50MA, 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | GC15009-450A/TR | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | GC15009 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC15009-450A/TR | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.9pf @ 20V, 1MHz | 하나의 | 22 v | 13 | C0/C20 | 800 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4483US/TR | 11.5000 | ![]() | 4933 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 44.8 v | 56 v | 70 옴 | |||||||||||||||||
jantx1n970b-1/tr | 2.1147 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANTX1N970B-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 18 v | 24 v | 33 옴 | |||||||||||||||
jantx1n6313cus/tr | 44.6250 | ![]() | 5526 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantx1n6313cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 3 µa @ 1 v | 3.6 v | 25 옴 | |||||||||||||||||
1N5520D/TR | 5.6850 | ![]() | 3649 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5520d/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 167 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 3.9 v | 22 옴 | ||||||||||||||||
![]() | MQSPC25 | 613.7550 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
MSC50DC170HJ | 170.3100 | ![]() | 9210 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC50DC170 | 실리콘 실리콘 쇼트 카바이드 | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC50DC170HJ | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 a | 200 µa @ 1700 v | 50 a | 단일 단일 | 1.7 kV | |||||||||||||
![]() | 1N4571D/TR | - | ![]() | 3636 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4571d/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N4116 | 13.2734 | ![]() | 1585 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA1N4116 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 18.25 v | 24 v | 150 옴 | ||||||||||||||
jankca1n754c | - | ![]() | 9902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n754c | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 1 v | 6.8 v | 5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CDLL4974 | 11.1450 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL4974 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5953A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 3553 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 114 v | 150 v | 600 옴 | |||||||||||||
JANS1N4996US | 552.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 v | 22 v | 5 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5955CE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5955 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 136.8 v | 180 v | 800 옴 | |||||||||||||
![]() | 1 pmt4117/tr7 | 0.9600 | ![]() | 1601 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4117 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 19 v | 25 v | 150 옴 | |||||||||||||
![]() | GC4432-30 | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 마개 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC4432-30 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 MA | 0.5pf @ 50V, 1MHz | 핀 - 단일 | 300V | 1ohm @ 100ma, 100mhz | |||||||||||||||||
![]() | 1N3511D | 6.2250 | ![]() | 2254 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 1N3511 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n3511d | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N4123 | 13.2734 | ![]() | 3367 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 (DO-204AA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA1N4123 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 29.65 v | 39 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n6320dus/tr | 68.7000 | ![]() | 4448 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantxv1n6320dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 3 옴 | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6318cus/tr | 54.9900 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantxv1n6318cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 5 µa @ 2.5 v | 5.6 v | 8 옴 | ||||||||||||||||
![]() | MPP4402-206/tr | 5.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-mpp4402-206/tr | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5527dur-1 | 61.9050 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N5527 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35 옴 | |||||||||||||
jantx1n5519d-1 | 21.9150 | ![]() | 1473 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5519 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 3.6 v | 24 옴 | ||||||||||||||
![]() | Jan1n938bur-1/tr | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/156 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N938BUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 v | 9 v | 20 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT5939/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5842 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5939 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 29.7 v | 39 v | 45 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고