전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 - 최대 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84C5V6LYT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7.14% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-173.9B | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3.6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 1 v | 3.9 v | 50 옴 | |||||||||||||||||
![]() | rbr3lam40ctftr | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | rbr3lam40 | Schottky | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 100 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA18B | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, CDZFH | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2.2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-923 | cdzfht2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 v | 17.96 v | 65 옴 | |||||||||||||||||
![]() | tfztr5.1b | 0.0886 | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tfztr5.1 | 500MW | Tumd2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5.1 v | |||||||||||||||||||
![]() | RBQ15BM100AFHTL | 1.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBQ15 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 710 MV @ 7.5 a | 140 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||
![]() | umn1nfhtr | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMN1 | 기준 | UMD5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 음극 음극 공통 | 80 v | 25MA | 900 mV @ 5 mA | 4 ns | 100 na @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||
![]() | ydzvfhtr22 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | ydzvfhtr22 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 16 v | 22 v | ||||||||||||||||||
![]() | CDZT2RA13B | 0.0841 | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | CDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-923 | CDZT2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 37 옴 | |||||||||||||||||
![]() | 1SS355VMFHTE-17 | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 1SS355 | 기준 | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 80 v | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 80 v | 150 ° C (°) | 100ma | 3pf @ 500mv, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | RB550 affhtr | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | RB550 | Schottky | TSMD5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 30 v | 700ma | 490 mV @ 700 mA | 10.7 ns | 50 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||
![]() | RB160SS-40HWT2R | - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | RB160 | Schottky | KMD2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RB160SS-40HWT2RTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 700 mA | 50 µa @ 40 v | 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | EDZGTE617.5B | - | ![]() | 4447 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzgt | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZGTE617.5BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1713B | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.69% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvfhte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 10 v | 13 v | 14 옴 | |||||||||||||||||
![]() | ufzvfhte-175.6b | 0.3100 | ![]() | 483 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvfhte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 2.5 v | 5.6 v | 13 옴 | |||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-178.2B | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvfhte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 5 v | 8.2 v | 8 옴 | |||||||||||||||||
![]() | KDZVTFTR3.0B | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, KDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | kdzvtftr3.0 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µa @ 1 v | 3.2 v | ||||||||||||||||||
![]() | ydzvfhtr30 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | ydzvfhtr30 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 21 v | 30 v | ||||||||||||||||||
![]() | RBR10T30ANZC9 | 0.9400 | ![]() | 910 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RBR10 | Schottky | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RBR10T30ANZC9 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 550 mV @ 5 a | 100 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | 10A | - | ||||||||||||||
![]() | RB886CMT2R | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 2-SMD,, 리드 | RB886 | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 10 MA | 0.8pf @ 1v, 1MHz | Schottky- 싱글 | 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | KDZLVTR100 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZLV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | KDZLVTR100 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 76 v | 100 v | ||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-1730B | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.53% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 23 v | 30 v | 55 옴 | |||||||||||||||||
![]() | BAT54CHMT116 | 0.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 200MA (DC) | 800 mv @ 100 ma | 50 ns | 2 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||
![]() | BZX84B24VLT116 | - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2.08% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 17 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||||||||
![]() | RN242CST2RA | 0.0935 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | SOD-923 | RN242 | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 MA | 0.35pf @ 1v, 1MHz | 핀 - 단일 | 30V | 1.5ohm @ 10ma, 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1SS390SMT2R | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS390 | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 MA | 1.2pf @ 6V, 1MHz | 핀 - 단일 | 35V | 900mohm @ 2ma, 100mhz | ||||||||||||||||||
![]() | 1SS390SMFHT2R | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS390 | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 MA | 1.2pf @ 6V, 1MHz | 핀 - 단일 | 35V | 900mohm @ 2ma, 100mhz | ||||||||||||||||||
![]() | FTZU6.2EFHT148 | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 4.83% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ftzu6.2 | 200 MW | SOT-346 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 양극 양극 공통 | 3 µa @ 5.5 v | 6.2 v | 6 옴 | ||||||||||||||||
![]() | umn11nfhtn | - | ![]() | 4265 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMN11 | 기준 | UMD6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 음극 음극 공통 | 80 v | 100ma | 1.2 v @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||
![]() | edzgte6133b | - | ![]() | 6683 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzgt | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZGTE6133BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고