SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RB521S-40FHTE61 Rohm Semiconductor RB521S-40FHTE61 -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-40FHTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
UDZVTE-1713B Rohm Semiconductor UDZVTE-1713B 0.2700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
TFZVTR9.1B Rohm Semiconductor TFZVTR9.1B 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzvtr9.1 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 8 옴
RLZTE-1115A Rohm Semiconductor RLZTE-11115A -
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 11 v 14.3 v 16 옴
TDZTR9.1 Rohm Semiconductor tdztr9.1 0.1088
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tdztr9.1 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 5.5 v 9.1 v
SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor SCS215AEGC11 7.5200
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS215 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS215AEGC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C 15a 550pf @ 1v, 1MHz
RBLQ30NL10SFHTL Rohm Semiconductor RBLQ30NL10SFHTL 3.0000
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBLQ30 Schottky TO-263L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 860 mV @ 30 a 150 µa @ 100 v 150 ° C 30A -
EMZ6.8NFHTL Rohm Semiconductor emz6.8nfhtl 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.93% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMZ6.8 150 MW EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
RBR5L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BDDTE25 0.7800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR5L30 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 5 a 150 µa @ 30 v 150 ° C 5a -
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor umn20nfhtr 0.1057
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMN20 기준 UMD6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 10 na @ 20 v 150 ° C (°)
RBR2MM40ATR Rohm Semiconductor rbr2mm40atr 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR2MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 2 a 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
RBR2VWM60ATR Rohm Semiconductor rbr2vwm60atr 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RBR2VWM Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 2 a 75 µa @ 60 v 150 ° C 2A -
MTZJT-724.3B Rohm Semiconductor MTZJT-724.3B -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT724.3B 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
MTZJT-778.2C Rohm Semiconductor MTZJT-778.2C -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 5 v 8.2 v 20 옴
RB225T-60 Rohm Semiconductor RB225T-60 1.7800
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB225 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RB225T60 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 630 mv @ 15 a 600 µa @ 60 v 150 ° C (°)
VDZT2R36B Rohm Semiconductor vdzt2r36b -
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 27 v 36 v 300 옴
YFZVFHTR8.2B Rohm Semiconductor yfzvfhtr8.2b 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.57% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr8.2 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 7.99 v 8 옴
TFZGTR3.9B Rohm Semiconductor tfzgtr3.9b 0.0886
RFQ
 ECAD 1780 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzgtr3.9 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 50 옴
RFN5BM3STL Rohm Semiconductor rfn5bm3stl 1.0700
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN5B 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.5 v @ 5 a 30 ns 10 µa @ 350 v 150 ° C (°) 5a -
TFZGTR4.7B Rohm Semiconductor tfzgtr4.7b 0.0886
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 tfzgtr4.7 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.7 v 25 옴
RRE02VS4SGTR Rohm Semiconductor RRE02VS4SGTR -
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2s 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 400 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 200ma -
RBR3MM60ATFTR Rohm Semiconductor rbr3mm60atftr 0.4400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM60 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
BAT54SHMT116 Rohm Semiconductor BAT54SHMT116 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
YDZVFHTR5.1 Rohm Semiconductor ydzvfhtr5.1 0.1020
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 9.8% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr5.1 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1.5 v 5.1 v
RB051MM-2YTR Rohm Semiconductor RB051MM-2YTR 0.5600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB051 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 460 mV @ 3 a 900 µa @ 20 v 125 ° C (°) 3A -
RB168LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB168LAM100TFTR 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB168 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 400 na @ 100 v 150 ° C (°) 1A -
RB058L150DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L150DDTE25 0.5900
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RB058 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 3 µa @ 150 v 150 ° C 3A -
RB551VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40TE-17 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 430 mv @ 200 ma 300 µa @ 40 v 125 ° C 200ma -
RBLQ30NL10STL Rohm Semiconductor rblq30nl10stl 2.5000
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBLQ30 Schottky TO-263L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 860 mV @ 30 a 150 µa @ 100 v 150 ° C 30A -
RB088LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB088LAM100TFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB088 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 3 µa @ 100 v 150 ° C (°) 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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