SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UDZSTE-179.1B Rohm Semiconductor Udzste-179.1b 0.0616
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
RB168LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB168LAM100TFTR 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB168 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 400 na @ 100 v 150 ° C (°) 1A -
RB551VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40TE-17 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 430 mv @ 200 ma 300 µa @ 40 v 125 ° C 200ma -
RB215T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-40NZC9 1.8700
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB215 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB215T-40NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RRE02VS4SGTR Rohm Semiconductor RRE02VS4SGTR -
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2s 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 400 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 200ma -
BAT54SHMT116 Rohm Semiconductor BAT54SHMT116 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
RF505BM6STL Rohm Semiconductor RF505BM6STL 1.6300
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF505 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 30 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 5a -
SCS210AJHRTLL Rohm Semiconductor scs210ajhrtll 7.1800
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 10 a 0 ns 200 µa @ 600 v 175 ° C (°) 10A 365pf @ 1v, 1MHz
EDZTE6112B Rohm Semiconductor edzte6112b -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE6112 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
RLZTE-1110B Rohm Semiconductor RLZTE-1110B -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 7 v 9.7 v 8 옴
YDZVFHTR20 Rohm Semiconductor ydzvfhtr20 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr20 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 14 v 20 v
MTZJT-7236B Rohm Semiconductor MTZJT-7236B -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7236B 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 27 v 36 v 75 옴
RBQ10BM45ATL Rohm Semiconductor RBQ10BM45ATL 0.5250
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ10 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 650 mV @ 5 a 150 µa @ 45 v 150 ° C (°)
RB088B150TL Rohm Semiconductor RB088B150TL -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 5 a 15 µa @ 150 v 150 ° C
YDZVFHTR7.5 Rohm Semiconductor ydzvfhtr7.5 0.1020
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 10% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 ydzvfhtr7.5 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 4.5 v 7.5 v
PTZTE2512B Rohm Semiconductor PTZTE2512B 0.4300
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2512 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 9 v 12.5 v 8 옴
RB480Y-90FHT2R Rohm Semiconductor RB480Y-90FHT2R -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 RB480 Schottky EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 90 v 100ma 690 mV @ 100 ma 5 µa @ 90 v 150 ° C (°)
MTZJT-7210B Rohm Semiconductor MTZJT-7210B -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2.54% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 846-MTZJT-7210BTB 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 7 v 9.66 v 20 옴
RLZTE-113.6A Rohm Semiconductor RLZTE-113.6A -
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 10 µa @ 1 v 3.6 v 60 옴
TFZGTR7.5B Rohm Semiconductor TFZGTR7.5B 0.0886
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 TFZGTR7.5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
RB228NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-40FHTL 2.0600
RFQ
 ECAD 969 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB228 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 30A 770 mV @ 15 a 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RF05VAM2STR Rohm Semiconductor RF05VAM2STR 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RF05VAM2 기준 tumd2s 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 mV @ 500 mA 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 500ma -
CDZFHT2RA3.9B Rohm Semiconductor cdzfht2ra3.9b 0.3900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 3.35% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 4.03 v 100 옴
CDZT2R12B Rohm Semiconductor CDZT2R12B 0.4500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
RB450UMFHTL Rohm Semiconductor RB450UMFHTL 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 RB450 Schottky UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°) 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor SCS215AEGC11 7.5200
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS215 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS215AEGC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C 15a 550pf @ 1v, 1MHz
RB480YT2R Rohm Semiconductor RB480YT2R 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 RB480Y Schottky EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 100ma 530 mv @ 100 ma 1 µa @ 10 v 125 ° C (°)
RFN5TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFN5TF6SFHC9 1.6900
RFQ
 ECAD 862 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFN5T 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 5a -
EDZ9HUTE6115B Rohm Semiconductor edz9hute6115b -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 edz9hut 100MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-edz9hute6115btr 귀 99 8541.10.0050 3,000
RB085B-30GTL Rohm Semiconductor RB085B-30GTL -
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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