SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RBR3MM60ATR Rohm Semiconductor rbr3mm60atr 0.5000
RFQ
 ECAD 2450 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM60 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2GC11 10.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS210KE2GC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 5A (DC) 1.6 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v 175 ° C
RB095T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-90NZC9 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB095 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB095T-90NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 6A 750 mV @ 3 a 150 µa @ 90 v 150 ° C
RFN20TB4SNZC9 Rohm Semiconductor RFN20TB4SNZC9 2.2500
RFQ
 ECAD 992 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFN20 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFN20TB4SNZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.55 V @ 20 a 30 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C 20A -
TFZTR11B Rohm Semiconductor tfztr11b 0.0886
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZTR11 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 11 v
TFZVTR39B Rohm Semiconductor TFZVTR39B 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR39 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
BZX84C3V6LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LFHT116 0.1600
RFQ
 ECAD 525 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
RB521CS-30T2R Rohm Semiconductor RB521CS-30T2R 0.4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-923 RB521 Schottky VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
DAN222WMTL Rohm Semiconductor dan222wmtl 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DAN222 기준 EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
DAN217CT116 Rohm Semiconductor DAN217CT116 -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 smd3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-DAN217CT116TR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C 100ma -
RB530CM-40T2R Rohm Semiconductor RB530CM-40T2R 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 RB530 Schottky VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 480 mV @ 10 ma 2 µa @ 40 v 150 ° C 100ma -
RBR5L30BTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BTE25 0.3972
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR5L30 Schottky PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 5 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 5a -
RRD20TJ10SGC9 Rohm Semiconductor RRD20TJ10SGC9 4.1700
RFQ
 ECAD 413 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RRD20 기준 TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RRD20TJ10SGC9 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1000 v 1.05 V @ 20 a 10 µa @ 1000 v 150 ° C 20A -
SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor SCS304AHGC9 2.8400
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS304 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 4 a 0 ns 20 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 200pf @ 1v, 1MHz
RBQ10B65ATL Rohm Semiconductor RBQ10B65ATL -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ10 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 5a 690 mV @ 5 a 150 µa @ 65 v 150 ° C (°)
BZX84C5V6LT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 7.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
RFN20NS4STL Rohm Semiconductor rfn20ns4stl 2.4100
RFQ
 ECAD 938 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFN20 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.55 V @ 20 a 30 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C 20A -
1SS400CSFHT2RA Rohm Semiconductor 1SS400CSFHT2RA 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-923 1SS400 기준 VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 500mv, 1MHz
RB521S-30TMTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30TMTE61 -
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-30TMTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
UFZVTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVTE-1715B 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 11 v 15 v 16 옴
RB541VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30TE-17 0.3500
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB541 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 640 mV @ 200 mA 45 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma -
RB058RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB058RSM15STL1 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn RB058 Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 830 mv @ 3 a 2.1 µa @ 150 v 175 ° C 3A -
RB481KFSTL Rohm Semiconductor RB481KFSTL 0.1517
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-82A, SOT-343 RB481 Schottky UMD4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 200ma 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°)
RB168L-40TFTE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TFTE25 0.4400
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RB168 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 550 na @ 40 v 150 ° C 1A -
MTZJT-772.4B Rohm Semiconductor MTZJT-772.4B -
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT772.4B 귀 99 8541.10.0050 5,000 2.4 v
BZX84C15VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C15VLT116 -
RFQ
 ECAD 1718 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 15 v 30 옴
GDZT2R7.5 Rohm Semiconductor GDZT2R7.5 0.3500
RFQ
 ECAD 427 0.00000000 Rohm 반도체 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000
RB400DFHT146 Rohm Semiconductor RB400DFHT146 0.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB400 Schottky smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 7.35 ns 50 µa @ 30 v 125 ° C (°) 500ma 130pf @ 0V, 1MHz
SCS215AGC17 Rohm Semiconductor SCS215AGC17 6.1300
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS215AGC17 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C 15a 550pf @ 1v, 1MHz
PDZVTR22A Rohm Semiconductor PDZVTR22A 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR22 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 v 22.05 v 14 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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