SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RBR1LAM60ATR Rohm Semiconductor rbr1lam60atr 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rbr1lam60 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mv @ 1 a 75 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
KDZVTR3.6B Rohm Semiconductor KDZVTR3.6B 0.3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZVTR3.6 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 60 µa @ 1 v 3.8 v
TFZTR11B Rohm Semiconductor tfztr11b 0.0886
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZTR11 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 11 v
TFZVTR39B Rohm Semiconductor TFZVTR39B 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZVTR39 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
BZX84C3V6LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LFHT116 0.1600
RFQ
 ECAD 525 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.56% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
RB521CS-30T2R Rohm Semiconductor RB521CS-30T2R 0.4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-923 RB521 Schottky VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 350 mV @ 10 ma 10 µa @ 10 v 150 ° C (°) 100ma -
DAN222WMTL Rohm Semiconductor dan222wmtl 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DAN222 기준 EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
RRD20TJ10SGC9 Rohm Semiconductor RRD20TJ10SGC9 4.1700
RFQ
 ECAD 413 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RRD20 기준 TO-220ACFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RRD20TJ10SGC9 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1000 v 1.05 V @ 20 a 10 µa @ 1000 v 150 ° C 20A -
RB530CM-40T2R Rohm Semiconductor RB530CM-40T2R 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-923 RB530 Schottky VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 480 mV @ 10 ma 2 µa @ 40 v 150 ° C 100ma -
RBR5L30BTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BTE25 0.3972
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR5L30 Schottky PMD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 5 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 5a -
SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor SCS304AHGC9 2.8400
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS304 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ACP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 4 a 0 ns 20 µa @ 650 v 175 ° C (°) 4a 200pf @ 1v, 1MHz
RBQ10B65ATL Rohm Semiconductor RBQ10B65ATL -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ10 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 5a 690 mV @ 5 a 150 µa @ 65 v 150 ° C (°)
RB095BGE-40TL Rohm Semiconductor RB095BGE-40TL 0.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 - 1 음극 음극 공통 40 v 6A 550 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°)
SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2GC11 23.3200
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS240 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCS240KE2GC11 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 20A (DC) 1.6 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 1200 v 175 ° C
RB530SM-40T2R Rohm Semiconductor RB530SM-40T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB530 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 710 mV @ 100 ma 15 µa @ 40 v 150 ° C 100ma -
RBR40NS30ATL Rohm Semiconductor RBR40NS30ATL 2.7700
RFQ
 ECAD 391 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBR40 Schottky lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 520 MV @ 20 a 600 µa @ 30 v 150 ° C
VDZT2R2.2B Rohm Semiconductor vdzt2r2.2b -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-723 vdzt2 100MW VMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2.2 v
BAS40-04HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HYT116 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C
RB075BM40STL Rohm Semiconductor RB075BM40STL 1.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB075 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 mV @ 5 a 5 µa @ 40 v 150 ° C (°) 5a -
RFN20NS3STL Rohm Semiconductor rfn20ns3stl 2.9900
RFQ
 ECAD 868 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFN20 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.35 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 350 v 150 ° C 20A -
MTZJT-7211C Rohm Semiconductor MTZJT-7211C -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7211C 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 8 v 11 v 20 옴
RBR5L60ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L60ADDTE25 0.8800
RFQ
 ECAD 718 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RBR5L60 Schottky PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 5 a 250 µa @ 60 v 150 ° C 5a -
FDZT40RB8.2 Rohm Semiconductor FDZT40RB8.2 0.3400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Rohm 반도체 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 40,000
RB531VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-40TE-17 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB531 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 610 mV @ 100 ma 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 100ma -
UFZVTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVTE-1715B 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.63% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 11 v 15 v 16 옴
RB541VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30TE-17 0.3500
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB541 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 640 mV @ 200 mA 45 µa @ 30 v 125 ° C (°) 200ma -
RR1VWM6STR Rohm Semiconductor rr1vwm6str 0.3800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 2-SMD,, 리드 RR1VWM6 기준 PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 600 v 175 ° C (°) 1A -
RB058RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB058RSM15STL1 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn RB058 Schottky TO-277A 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 830 mv @ 3 a 2.1 µa @ 150 v 175 ° C 3A -
RR274EA-400FHTR Rohm Semiconductor RR274EA-400FHTR 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 RR274 기준 TSMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 2 독립 400 v 500ma 1.1 v @ 500 ma 10 µa @ 400 v 150 ° C
MTZJT-7210C Rohm Semiconductor MTZJT-7210C -
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7210C 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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