SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 - 최대 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
SCS208AGHRC Rohm Semiconductor SCS208AGHRC -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS208 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 8 a 0 ns 160 µa @ 600 v 175 ° C (°) 8a 291pf @ 1v, 1MHz
RB068VWM150TR Rohm Semiconductor RB068VWM150TR 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB068 Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 960 MV @ 2 a 1 µa @ 150 v 175 ° C 2A -
BZX84B12VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B12VLFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 1.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
EDZVT2R33B Rohm Semiconductor EDZVT2R33B 0.2800
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
BAV99HYT116 Rohm Semiconductor BAV99HYT116 0.4800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 80 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C
RBR2MM40CTR Rohm Semiconductor rbr2mm40ctr 0.5300
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR2MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
RB215T-90 Rohm Semiconductor RB215T-90 2.0300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB215 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RB215T90 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 750 mv @ 10 a 400 µa @ 90 v 150 ° C (°)
RBR20T40ANZC9 Rohm Semiconductor RBR20T40ANZC9 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RBR20 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 620 MV @ 10 a 240 µa @ 40 v 150 ° C
RB238NS-60TL Rohm Semiconductor RB238NS-60TL 2.1500
RFQ
 ECAD 862 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB238 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 40a 860 mV @ 20 a 12 µa @ 60 v 150 ° C
RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor RB085BGE-30TL 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 - 1 음극 음극 공통 30 v 10A 480 mV @ 4 a 300 µa @ 30 v 150 ° C (°)
RB481KTL Rohm Semiconductor RB481KTL 0.5500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-82A, SOT-343 RB481 Schottky UMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 200ma 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 125 ° C (°)
UFZVTE-177.5B Rohm Semiconductor UFZVTE-177.5B 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.7% 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.5 v 8 옴
RB500SM-30T2R Rohm Semiconductor RB500SM-30T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB500 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 450 mV @ 10 ma 500 na @ 10 v 150 ° C 100ma -
RN142SFSTE61 Rohm Semiconductor RN142SFSTE61 -
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RN142SFSTE61TR 쓸모없는 3,000
RN142SFHTE61 Rohm Semiconductor RN142SFHTE61 -
RFQ
 ECAD 6154 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RN142SFHTE61TR 쓸모없는 3,000
RLZTE-1122A Rohm Semiconductor RLZTE-1122A -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLZTE-1122 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 17 v 21.2 v 30 옴
PDZVTFTR24B Rohm Semiconductor pdzvtftr24b 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, PDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 pdzvtftr24 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 v 25.8 v 16 옴
RN779FT106 Rohm Semiconductor RN779FT106 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 RN779 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.9pf @ 35V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 연결 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
EDZVT2R13B Rohm Semiconductor EDZVT2R13B 0.3100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
RF302LAM2STR Rohm Semiconductor rf302llam2str 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RF302 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 3 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C 3A -
RBR3LAM40ATR Rohm Semiconductor rbr3lam40atr 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rbr3lam40 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 690 mV @ 3 a 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
UFZVFHTE-177.5B Rohm Semiconductor ufzvfhte-177.5b 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.7% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F ufzvfhte 500MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.5 v 8 옴
RN142S9HLTE61 Rohm Semiconductor RN142S9HLTE61 -
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RN142S9HLTE61TR 쓸모없는 3,000
RF305BGE6STL Rohm Semiconductor RF305BGE6STL 1.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RF305 기준 TO-252GE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 30 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C 3A -
RN771VFHTE-17 Rohm Semiconductor RN771VFHTE-17 -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN771 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.9pf @ 35V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
RFUH20NS4STL Rohm Semiconductor rfuh20ns4stl 2.4100
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RFUH20 기준 LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.7 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C 20A -
RB530VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB530VM-40FHTE-17 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB530 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 690 mV @ 100 ma 15 µa @ 40 v 150 ° C (°) 100ma -
1SS400SMFHT2R Rohm Semiconductor 1SS400SMFHT2R 0.3800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1SS400 기준 EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 500mv, 1MHz
KDZTR16B Rohm Semiconductor KDZTR16B 0.5200
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR16 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 v 16.9 v
RB060LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB060LAM-40TFTR 0.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB060 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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