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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RB085BM-60FHTL Rohm Semiconductor RB085BM-60FHTL 1.5700
RFQ
ECAD 410 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB085 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 580 mV @ 5 a 300 µa @ 60 v 150 ° C (°)
RR2LAM4STR Rohm Semiconductor rr2lam4str 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rr2lam4 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 2A -
RB162VAM-20TR Rohm Semiconductor RB162VAM-20TR 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB162 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 400 mV @ 1 a 1.2 ma @ 20 v 125 ° C (°) 1A -
EDZFJTE615.6B Rohm Semiconductor edzfjte615.6b -
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzfjt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-edzfjte615.6btr 귀 99 8541.10.0050 3,000
YFZVFHTR3.6B Rohm Semiconductor yfzvfhtr3.6b 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.29% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr3.6 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.72 v 60 옴
1SS400FTE61 Rohm Semiconductor 1SS400FTE61 -
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-1SSSSS400FTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
RB162LAM-60TFTR Rohm Semiconductor rb162lam-60tftr 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB162 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
EDZGTE615.6B Rohm Semiconductor edzgte615.6b -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzgt 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZGTE615.6BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
EDZVT2R2.0B Rohm Semiconductor EDZVT2R2.0B 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
KDZVTR2.7B Rohm Semiconductor KDZVTR2.7B 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 KDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F KDZVTR2.7 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 1 v 2.9 v
UDZWTE-173.9B Rohm Semiconductor udzwte-173.9b -
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
RB520S-30LDTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30LDTE61 -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-30LDTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
RB520S-309HATE61 Rohm Semiconductor RB520S-309HATE61 -
RFQ
ECAD 1058 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB520 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB520S-309HATE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
RB520VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB520VM-40TE-17 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB520 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C 200ma -
RF2001T2D Rohm Semiconductor RF2001T2D 0.8552
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RF2001 기준 TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 930 MV @ 10 a 30 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°)
MTZJT-776.8C Rohm Semiconductor MTZJT-776.8C -
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor rfn5bge3stl 0.8600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN5B 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 350 v 1.5 v @ 5 a 30 ns 10 µa @ 350 v 150 ° C (°) 5a -
RB168MM-40TFTR Rohm Semiconductor RB168MM-40TFTR 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB168 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 550 na @ 40 v 175 ° C (°) 1A -
1SS400LTE61 Rohm Semiconductor 1SS400LTE61 -
RFQ
ECAD 5328 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-1SSSS400LTE61TR 쓸모없는 3,000
RB168MM100TFTR Rohm Semiconductor RB168MM100TFTR 0.4800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB168 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mv @ 1 a 400 na @ 100 v 150 ° C (°) 1A -
CDZFHT2RA20B Rohm Semiconductor cdzfht2ra20b 0.4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, CDZFH 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 cdzfht2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 15 v 19.955 v 100 옴
KDZLVTFTR130 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR130 0.4500
RFQ
ECAD 9483 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZLVTFTR130 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 102 v 130 v
RB751SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB751SM-40FHT2R 0.3600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB751 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 1 ma 500 NA @ 30 v 150 ° C (°) 30ma 2pf @ 1v, 1MHz
UDZVTE-178.2B Rohm Semiconductor UDZVTE-178.2B 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
RB578VAM100TR Rohm Semiconductor RB578VAM100TR 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB578 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 700 mA 200 na @ 100 v 150 ° C (°) 700ma -
RBR3MM40BTFTR Rohm Semiconductor RBR3MM40BTFTR 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RBR3MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 580 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
DAP202UT106 Rohm Semiconductor DAP202UT106 -
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DAP202 기준 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
MTZJT-7713B Rohm Semiconductor MTZJT-7713B -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 500MW MSD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 10 v 13 v 25 옴
RB225T-40 Rohm Semiconductor RB225T-40 1.5141
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB225 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 630 mv @ 15 a 500 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BZX84C22VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C22VLYT116 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 22 v 56 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고