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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB160SS-40TR | - |  | 4374 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 0603 (1608 메트릭) | RB160 | Schottky | KMD2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RB160SS-40TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 700 mA | 50 µa @ 40 v | 150 ° C | 1A | - | |||||||||
 | udzvfhte-172.2b | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4.32% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvfhte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 700 mV | 2.2 v | 100 옴 | ||||||||||||
 | RFNL15TJ6SGC9 | 1.6900 | | 737 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | RFNL15 | 기준 | TO-220ACFP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 15 a | 160 ns | 10 µa @ 600 v | 150 ° C | 15a | - | |||||||||
 | RB088BM100FHTL | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB088 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 870 mV @ 5 a | 8.2 ns | 5 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | |||||||||
 | 1SS244T-77 | - | | 4713 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 1SS244 | 기준 | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 220 v | 1.5 v @ 200 ma | 75 ns | 10 µa @ 220 v | 175 ° C (°) | 200ma | 3pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
 | tdzvtr13 | 0.3800 | | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tdzvtr13 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 9 v | 13 v | |||||||||||||
 | RBR3L40ATE25 | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RBR3L40 | Schottky | PMD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 690 mV @ 3 a | 50 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||
 | RB088NS-60FHTL | 1.4200 | | 992 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RB088 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 830 mv @ 5 a | 3 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
 | SDZT15R6.8 | 0.3100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | SDZT15 | 100MW | SMD0603 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | |||||||||||||
| DA2J10100L | - | | 3996 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
| RB095BM-60TL | 0.7395 | | 9342 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RB095 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 6A | 580 mV @ 3 a | 300 µa @ 60 v | 150 ° C | ||||||||||
 | SCS215AGHRC | - | | 2195 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | SCS215 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.55 V @ 15 a | 0 ns | 300 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 15a | 550pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
| RBQ30NS45BFHTL | 2.2300 | | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RBQ30 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 590 mV @ 30 a | 350 µa @ 45 v | 150 ° C (°) | 30A | - | ||||||||||
| EDZFHTE616.8B | - | | 3748 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzfht | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-edzfhte616.8btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||
 | RB061QS-20T18R | 0.5500 | | 14 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | RB061 | 기준 | SMD1006 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 18,000 | 짐 | 20 v | 470 mV @ 2 a | 200 µa @ 10 v | 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
| RB721Q-40T-72 | - | | 1782 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | RB721 | Schottky | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | RB721Q40T72 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 370 mV @ 1 ma | 500 na @ 25 v | 30ma | - | ||||||||||
| edzztte615.6b | - | | 1080 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 에드 에드 | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-edzztte615.6btr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||
| RB520S-40FTE61 | - | | 6878 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB520 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB520S-40FTE61TR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
 | RB530CM-30T2R | 0.2600 | | 58 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RB530 | Schottky | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 460 mV @ 10 ma | 300 na @ 10 v | 150 ° C (°) | 100ma | - | ||||||||||
| PTZTE2515B | 0.5200 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6% | - | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | PTZTE2515 | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µa @ 11 v | 15.4 v | 10 옴 | ||||||||||||
| EDZ8HRTE6115B | - | | 4950 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | edz8hrt | 100MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZ8HRTE6115BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||
| CDZVT2R20B | 0.2700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | cdzv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 85 옴 | ||||||||||||
| RB751S-40FJTE61 | - | | 1845 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB751 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB751S-40FJTE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
| RBQ15BM65AFHTL | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBQ15 | Schottky | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 65 v | 15a | 630 MV @ 7.5 a | 140 µa @ 65 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
| rfnl5bm6sfhtl | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RFNL5 | 기준 | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 5 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 5a | - | |||||||||
 | RB706WM-40TL | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | RB706 | Schottky | EMD3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 40 v | 30ma | 370 mV @ 1 ma | 500 NA @ 30 v | 125 ° C | ||||||||||
| RFV15TG6SGC9 | 1.7900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | RFV15 | 기준 | TO-220ACFP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.8 V @ 15 a | 50 ns | 10 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 15a | - | |||||||||
| EDZ8HRTE6118B | - | | 7791 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | edz8hrt | 100MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZ8HRTE6118BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||
 | ADZT15R8.2B | 0.3900 | | 14 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.44% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 0201 (0603 메트릭) | 100MW | DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 na @ 5 v | 8.2 v | ||||||||||||||
| edzucte614.7b | - | | 6764 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | edzuct | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZUCTE614.7BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
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