SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RB068VWM100TR Rohm Semiconductor RB068VWM100TR 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB068 Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 2 a 300 NA @ 100 v 175 ° C 2A -
RB531VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-30FHTE-17 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB531 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 490 mV @ 100 ma 45 µa @ 30 v 125 ° C (°) 100ma -
BZX84B36VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B36VLYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25 v 36 v 90 옴
RFUH10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor RFUH10TB4SNZC9 1.8200
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFUH10 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFUH10TB4SNZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 430 v 1.7 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 430 v 150 ° C 10A -
RB751ZS-40T2R Rohm Semiconductor RB751ZS-40T2R -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 0201 (0603 메트릭) RB751 Schottky GMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB751ZS-40T2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 370 mV @ 1 ma 500 NA @ 30 v 125 ° C 30ma 1.4pf @ 1v, 1MHz
RLZTE-114.3B Rohm Semiconductor RLZTE-114.3B -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q3557557 귀 99 8541.10.0050 2,500 5 µa @ 1 v 4.3 v 40
KDZVTFTR2.0B Rohm Semiconductor KDZVTFTR2.0B 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F kdzvtftr2.0 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 µa @ 500 mV 2.12 v
RB751S-407HGTE61 Rohm Semiconductor RB751S-407HGTE61 -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB751 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB751S-407HGTE61TR 쓸모없는 3,000
RBQ20BM45AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM45AFHTL 1.2700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ20 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 590 mV @ 10 a 200 µa @ 45 v 150 ° C (°)
RFN30TS6DGC11 Rohm Semiconductor RFN30TS6DGC11 2.6416
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 RFN30 기준 TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 450 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15a 1.55 V @ 15 a 55 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°)
PTZTE255.6B Rohm Semiconductor PTZTE255.6B 0.2014
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE255.6 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 1.5 v 5.95 v 8 옴
RF2L6STE25 Rohm Semiconductor RF2L6STE25 0.6900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RF2L6 기준 PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 1.5 a 35 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C (°) 1.5A -
EDZVT2R5.6B Rohm Semiconductor EDZVT2R5.6B 0.2900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Rohm 반도체 EDZV 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZVT2 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 200 옴
KDZTR10B Rohm Semiconductor KDZTR10B 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR10 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 v 10.3 v
RB162MM-30TR Rohm Semiconductor RB162mm-30tr 0.4800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB162 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
RSX048LAP2STR Rohm Semiconductor rsx048lap2str 0.7300
RFQ
 ECAD 1981 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 870 mV @ 3 a 200 na @ 200 v 175 ° C 3A -
UDZLVFHTE-17100 Rohm Semiconductor udzlvfhte-17100 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvfhte-17100 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 76 v 100 v
SCS105KGC Rohm Semiconductor SCS105KGC -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS105 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.75 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v 175 ° C (°) 5a 325pf @ 1v, 1MHz
RB055LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB055LAM-30TFTR 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB055 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 3 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 3A -
SCS215AEC Rohm Semiconductor SCS215AEC -
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCS215 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 360 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 15 a 0 ns 300 µa @ 600 v 175 ° C (°) 15a 550pf @ 1v, 1MHz
FMP1T148 Rohm Semiconductor FMP1T148 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FMP1T148 기준 SMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 900 mV @ 5 mA 100 na @ 70 v 25 MA 단일 단일 80 v
UDZLVFHTE-1791 Rohm Semiconductor udzlvfhte-1791 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvfhte-1791 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 69 v 91 v
RBQ20BM65ATL Rohm Semiconductor RBQ20BM65ATL 0.7230
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBQ20 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 65 v 10A 630 mv @ 10 a 200 µa @ 65 v 150 ° C
RB550VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB550VM-40FHTE-17 0.0663
RFQ
 ECAD 6823 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB550 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 510 mV @ 200 mA 40 V @ 40 v 150 ° C (°) 200ma -
RB088NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB088NS-30FHTL 1.4200
RFQ
 ECAD 845 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB088 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 10A 720 MV @ 5 a 3 µa @ 30 v 150 ° C (°)
RFN5TF8SFHC9 Rohm Semiconductor RFN5TF8SFHC9 1.5400
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFN5T 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 2.1 V @ 5 a 40 ns 10 µa @ 800 v 150 ° C (°) 5a -
UDZLVTE-17120 Rohm Semiconductor UDZLVTE-17120 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvte 200 MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 91 v 120 v
CDZT2RA15B Rohm Semiconductor CDZT2RA15B 0.0841
RFQ
 ECAD 9187 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 11 v 15 v 42 옴
UDZWTE-174.3B Rohm Semiconductor udzwte-174.3b -
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
CDZT2R3.9B Rohm Semiconductor cdzt2r3.9b 0.0928
RFQ
 ECAD 1912 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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