SIC
close

다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RB480Y-40GT2R Rohm Semiconductor RB480Y-40GT2R -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 Schottky EMD4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB480Y-40GT2RTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 100ma 530 mv @ 100 ma 1 µa @ 10 v 125 ° C (°)
RB531SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB531SM-40FHT2R 0.2000
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB531 Schottky EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 610 mV @ 100 ma 100 µa @ 40 v 125 ° C (°) 100ma -
RB078B30STL Rohm Semiconductor RB078B30STL -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB078 Schottky CPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 720 MV @ 5 a 5 µa @ 30 v 150 ° C 5a -
SCS320AMC Rohm Semiconductor SCS320AMC 9.6500
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS320 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 20 a 0 ns 100 µa @ 650 v 175 ° C (°) 20A 1000pf @ 1v, 1MHz
UDZTE-175.1B Rohm Semiconductor UDZTE-175.1B 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 80 옴
SCS310APC9 Rohm Semiconductor SCS310APC9 3.0600
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS310 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v 175 ° C (°) 10A 500pf @ 1v, 1MHz
BZX84B15VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B15VLFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 617 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 15 v 30 옴
RB521S-30ULTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30ULTE61 -
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-30ULTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
PDZVTR11A Rohm Semiconductor pdzvtr11a 0.4500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 PDZVTR11 1 W. pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 8 v 11 v 8 옴
RB055LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB055LAM-40TFTR 0.5100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB055 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 3 a 14.6 ns 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
FTZ6.8ET148 Rohm Semiconductor FTZ6.8ET148 0.4100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-74A, SOT-753 FTZ6.8 200 MW SMD5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
RF2001T2DNZC9 Rohm Semiconductor RF2001T2DNZC9 2.0500
RFQ
 ECAD 309 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RF2001 기준 TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RF2001T2DNZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 930 MV @ 10 a 30 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C
RB550VAM-30TR Rohm Semiconductor RB550VAM-30TR 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB550 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 30 µa @ 10 v 150 ° C (°) 1A -
CDZT2R6.8B Rohm Semiconductor cdzt2r6.8b 0.0928
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
1SR153-400T-31 Rohm Semiconductor 1SR153-400T-31 -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-41 미니, 축 방향 1SR153-400 기준 MSR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1SR153400T31 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 400 v 1.3 v @ 800 ma 400 ns 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1A -
RFC02MM2STFTR Rohm Semiconductor RFC02MM2STFTR 1.8300
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RFC02 기준 PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 mV @ 500 mA 35 ns 1 µa @ 200 v 150 ° C (°) 500ma -
KDZVTFTR20B Rohm Semiconductor KDZVTFTR20B 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101, KDZVTF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F kdzvtftr20 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 15 v 21.2 v
RB228T150NZC9 Rohm Semiconductor RB228T150NZC9 2.0600
RFQ
 ECAD 873 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB228 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 30A 880 mV @ 15 a 25 µa @ 150 v 150 ° C
RB088BM-40FHTL Rohm Semiconductor RB088BM-40FHTL 1.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB088 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 770 mv @ 5 a 3 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RB550VYM-30FHTR Rohm Semiconductor RB550VYM-30FHTR 0.4800
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RB550 Schottky tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 520 MV @ 1 a 10.7 ns 30 µa @ 10 v 150 ° C (°) 1A -
UDZVTE-1720B Rohm Semiconductor UDZVTE-1720B 0.2700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 15 v 20 v 85 옴
UDZWTE-1715B Rohm Semiconductor Udzwte-1715b -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
BZX84C3V9LT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V9LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
DA380UT106 Rohm Semiconductor DA380UT106 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DA380 기준 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 10 na @ 20 v 150 ° C (°)
CDZVT2R9.1B Rohm Semiconductor cdzvt2r9.1b 0.2700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm 반도체 cdzv 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
RFN2L6SDDTE25 Rohm Semiconductor RFN2L6SDDTE25 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RFN2L6 기준 PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 1.5 a 35 ns 1 µa @ 600 v 150 ° C 1.5A -
RB531VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-30FHTE-17 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB531 Schottky UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 490 mV @ 100 ma 45 µa @ 30 v 125 ° C (°) 100ma -
RRE02VSM6STR Rohm Semiconductor RRE02VSM6ST 0.3800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 600 v 150 ° C (°) 200ma -
RBR20BM30AFHTL Rohm Semiconductor RBR20BM30AFHTL 1.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RBR20 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 510 mV @ 10 a 23.4 ns 300 µa @ 30 v 150 ° C (°)
CDZVT2R2.0B Rohm Semiconductor CDZVT2R2.0B 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다