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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 현재 - 최대 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f |
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![]() | RB886Y9HKT2R | - | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-rb886y9hkt2rtr | 쓸모없는 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 15 v | 10MA (DC) | 350 mv @ 1 ma | 120 µa @ 5 v | 125 ° C (°) | |||||||||||||||
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![]() | cdzvt2r11b | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 30 옴 | ||||||||||||||||
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![]() | edzte6120b | - | ![]() | 5816 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | edzte6120 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 85 옴 | ||||||||||||||||
![]() | RBQ15BGE45ATL | 1.8200 | ![]() | 562 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RBQ15 | Schottky | TO-252GE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 590 MV @ 7.5 a | 140 µa @ 45 v | 150 ° C | ||||||||||||||
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![]() | bav70hyfht116 | 0.4300 | ![]() | 587 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | bav70 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 125MA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | RB068M-40TR | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOD-123F | RB068 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 725 MV @ 2 a | 550 na @ 40 v | 150 ° C (°) | 2A | - | ||||||||||||||
MTZJT-779.1C | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 500MW | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 20 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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