SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
YFZVFHTR20B Rohm Semiconductor yfzvfhtr20b 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.51% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr20 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 15 v 19.11 v 28 옴
1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355VMTE-17 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS355 기준 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 v 150 ° C (°) 100ma 3pf @ 0.5V, 1MHz
RR601BM4SFHTL Rohm Semiconductor RR601BM4SFHTL 1.2000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RR601 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 400 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 6A -
DAP202UMFHTL Rohm Semiconductor DAP202UMFHTL 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 DAP202 기준 UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
RBR2VWM40ATR Rohm Semiconductor rbr2vwm40atr 0.5100
RFQ
 ECAD 522 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RBR2VWM Schottky PMDE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 620 MV @ 2 a 50 µa @ 40 v 150 ° C 2A -
RBR5LAM30ATFTR Rohm Semiconductor rbr5lam30atftr 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-128 rbr5lam30 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 100 µa @ 30 v 150 ° C (°) 5a -
BZX84B6V8LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V8LYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.06% 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
RB481YFJT2R Rohm Semiconductor RB481YFJT2R -
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 Schottky EMD4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-rb481yfjt2rtr 쓸모없는 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 100ma 430 mv @ 100 ma 30 µa @ 10 v 125 ° C (°)
CDZT2R3.6B Rohm Semiconductor cdzt2r3.6b 0.0928
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 100 옴
VDZT2R2.0B Rohm Semiconductor vdzt2r2.0b -
RFQ
 ECAD 4704 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2 v
RB531XNTR Rohm Semiconductor RB531XNTR 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RB531 Schottky UMD6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 30 v 100ma 430 mv @ 100 ma 20 µa @ 10 v 125 ° C (°)
RFN5BM2STL Rohm Semiconductor RFN5BM2STL 1.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFN5B 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 980 MV @ 5 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 5a -
1SR139-400T-31 Rohm Semiconductor 1SR139-400T-31 -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-41 미니, 축 방향 1SR139 기준 MSR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 1A -
CDZT2R7.5B Rohm Semiconductor CDZT2R7.5B 0.0928
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 Rohm 반도체 CDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-923 CDZT2 100MW VMN2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 500 na @ 4 v 7.5 v 30 옴
RBR20NS30AFHTL Rohm Semiconductor RBR20NS30AFHTL 1.4400
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RBR20 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 550 mV @ 10 a 200 µa @ 30 v 150 ° C (°)
RLZTE-1115C Rohm Semiconductor RLZTE-111115C -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 200 na @ 11 v 14.3 v 16 옴
RB521S-309HLTE61 Rohm Semiconductor RB521S-309HLTE61 -
RFQ
 ECAD 7864 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 RB521 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RB521S-309HLTE61TR 귀 99 8541.10.0070 3,000
SCS206AGHRC Rohm Semiconductor SCS206AGHRC -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS206 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 6 a 0 ns 120 µa @ 600 v 175 ° C (°) 6A 219pf @ 1v, 1MHz
BZX84C2V4LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V4LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.33% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
DA228UT106 Rohm Semiconductor DA228UT106 0.4300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DA228 기준 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 100 na @ 80 v 150 ° C (°)
RB218NS150FHTL Rohm Semiconductor RB218NS150FHTL 1.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RB218 Schottky LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 880 mV @ 10 a 14.8 ns 20 µa @ 150 v 150 ° C (°)
RB225T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB225T-60NZC9 3.0900
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB225 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RB225T-60NZC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 630 mv @ 15 a 600 µa @ 60 v 150 ° C
RB162LAM-40TR Rohm Semiconductor RB162LAM-40TR 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB162 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
RB060MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB060MM-30TFTR 0.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB060 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 490 mV @ 2 a 50 µa @ 30 v 150 ° C (°) 2A -
PTZTE2527B Rohm Semiconductor PTZTE2527B 0.2014
RFQ
 ECAD 7747 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 7% - 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2527 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 21 v 28.7 v 16 옴
BZX84B10VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
MTZJT-726.8C Rohm Semiconductor MTZJT-726.8C -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT726.8C 귀 99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
RB098BM-40FHTL Rohm Semiconductor RB098BM-40FHTL 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB098 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 6A 770 MV @ 3 a 1.5 µa @ 40 v 150 ° C (°)
RB058LAM-60TR Rohm Semiconductor RB058LAM-60TR 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB058 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 3 a 4 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A -
RB425DT146 Rohm Semiconductor RB425DT146 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB425 Schottky smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 100ma 550 mV @ 100 ma 30 µa @ 10 v 125 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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