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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | EDZVT2R6.8B | 0.3000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | 40 | ||||||||||||
![]() | RB058LAM-40TFTR | 0.6100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | RB058 | Schottky | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 690 mV @ 3 a | 5 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1712B | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.71% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvfhte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 9 v | 12 v | 12 옴 | ||||||||||||
![]() | RB480Y-40FHT2R | - | ![]() | 1581 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RB480Y-40FHT2RTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 40 v | 200ma | 550 mV @ 100 ma | 10 µa @ 40 v | 125 ° C (°) | ||||||||||
![]() | BZX84C6V8LFHT116 | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | RB480YT4R | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RB480YT4RTR | 쓸모없는 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 30 v | 100ma | 530 mv @ 100 ma | 1 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | |||||||||||
![]() | RB161M-20TR | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOD-123F | RB161 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 350 mV @ 1 a | 700 µa @ 20 v | 125 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||
![]() | Udzste-1711b | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | PTZTE2522A | 0.2014 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5.38% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | PTZTE2522 | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µa @ 17 v | 23.25 v | 14 옴 | ||||||||||||
![]() | pdzvtftr18b | 0.4400 | ![]() | 3295 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101, PDZVTF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.39% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | pdzvtftr18 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 13 v | 19.15 v | 12 옴 | ||||||||||||
![]() | RR274EA-400TR | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 | RR274 | 기준 | TSMD5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 짐 | 2 독립 | 400 v | 500ma | 1.1 v @ 500 ma | 10 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
![]() | RB205T-90NZC9 | 2.6800 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RB205 | Schottky | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RB205T-90NZC9 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 90 v | 15a | 780 MV @ 7.5 a | 300 µa @ 90 v | 150 ° C | |||||||||
![]() | baw56hyfht116 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | baw56 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 80 v | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 80 v | 150 ° C | |||||||||
![]() | PDZVTR4.3A | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | PDZVTR4.3 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 1 v | 4.25 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | UFZVTE-1713B | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.69% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 10 v | 13 v | 14 옴 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR6.2A | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-128 | PDZVTR6.2 | 1 W. | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 3 v | 6.2 v | 6 옴 | ||||||||||||
![]() | yfzvfhtr18b | 0.3500 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.55% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | yfzvfhtr18 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 13 v | 17.26 v | 23 옴 | ||||||||||||
![]() | UDZVTE-1736B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 27 v | 36 v | 300 옴 | ||||||||||||
![]() | RB160MM-40TFTR | 0.4600 | ![]() | 742 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RB160 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 510 mV @ 1 a | 30 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||
![]() | RF601T2D | 0.4951 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RF601 | 기준 | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RF601T2D | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 3A | 930 MV @ 3 a | 25 ns | 10 µa @ 200 v | 150 ° C (°) | ||||||||
![]() | rfuh10ns4stl | 0.8430 | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RFUH10 | 기준 | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 430 v | 1.7 V @ 10 a | 25 ns | 10 µa @ 430 v | 150 ° C | 10A | - | |||||||||
![]() | edzvfht2r5.6b | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.13% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZVFHT2 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µa @ 2.5 v | 5.61 v | 60 옴 | ||||||||||||
![]() | RB480YFHT2R | - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-rb480yfht2rtr | 쓸모없는 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 2 독립 | 30 v | 100ma | 530 mv @ 100 ma | 1 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | |||||||||||
![]() | udzlvfhte-17110 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvfhte-17110 | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 84 v | 110 v | |||||||||||||
![]() | RB751S-40GTE61 | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | RB751 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB751S-40GTE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DB4X501K0R | - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-DB4X501K0RTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RRD07MM4STR | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RRD07 | 기준 | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 980 mV @ 700 mA | 1 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | 700ma | - | ||||||||||
![]() | RB068LB100TBR1 | 0.8300 | ![]() | 9409 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | RB068 | Schottky | SMBP | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 810 mv @ 2 a | 1.5 µa @ 100 v | 175 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | udzvfhte-1720b | 0.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.18% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzvfhte | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 85 옴 | ||||||||||||
![]() | RB168VWM100TFTR | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RB168 | Schottky | PMDE | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 840 mV @ 1 a | 300 NA @ 100 v | 175 ° C | 1A | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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