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다이오드 (3328)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
DA221TL	0.4200	RFQ	57	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-75, SOT-416	DA221	기준		EMD3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	20 v	100ma	1 V @ 10 ma		100 na @ 15 v	150 ° C (°)
vmzt6.8nt2l	-	RFQ	1346	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	표면 표면	SOT-723	VMZT6.8		150 MW	VMD3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000	1 양극 양극 공통											6.8 v
edzte6116b	0.3500	RFQ	25	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	EDZTE6116		150 MW	EMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 12 v				16 v	50 옴
RB851YXNT2R	-	RFQ	4044	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75-4, SOT-543		Schottky		EMD4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	846-rb851yxnt2rtr	쓸모없는		8,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	3 v	30MA (DC)	460 mV @ 1 ma		700 na @ 1 v	125 ° C (°)
RB215T-40	-	RFQ	2436	Rohm 반도체	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	RB215	Schottky		TO-220FN	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	RB215T40	귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	10A	550 mV @ 10 a		500 µa @ 40 v	150 ° C (°)
RLZTE-115.1A	-	RFQ	6217	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	llds	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500								5 µa @ 1.5 v				5.1 v	20 옴
KDZTR36B	0.5200	RFQ	2	Rohm 반도체	KDZ	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	KDZTR36		1 W.	PMDU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								10 µa @ 27 v				39.2 v
UDZVTE-172.0B	0.2700	RFQ	6	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	udzvte		200 MW	UMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								120 µa @ 500 mV				2 v	100 옴
UMZ18NFHT106	0.4500	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.19%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	UMZ18		200 MW	UMD3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 13 v				18 v
edzfhte615.1b	-	RFQ	7213	Rohm 반도체	EDZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면		Edzfht		100MW		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-EDZFHTE615.1BTR	귀 99	8541.10.0050	3,000
BAV99LT116	-	RFQ	4465	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	bav99	기준		SSD3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	846-bav99lt116tr	쓸모없는		3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	75 v	215MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C (°)
RRE04EA4DFHTR	0.5000	RFQ	57	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5	RRE04	기준		TSMD5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		짐	2 독립	400 v	400ma	1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 400 v	150 ° C (°)
DAP202FMFHT106	0.3800	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	DAP202	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	80 v	100ma	1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 70 v	150 ° C
RBQ30TB45BHZC9	2.5400	RFQ	1	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		TO-220FN-2	-		3 (168 시간)					1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		590 mV @ 30 a		350 µa @ 45 v	150 ° C	30A	-
RB162MM-60TR	0.4100	RFQ	430	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RB162	Schottky		PMDU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		650 mV @ 1 a		100 µa @ 60 v	150 ° C (°)	1A	-
SCS206AMC	2.1240	RFQ	9885	Rohm 반도체	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SCS206	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220FM	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.55 V @ 6 a	0 ns	120 µa @ 600 v	175 ° C (°)	6A	219pf @ 1v, 1MHz
UFZVTE-176.8B	0.3000	RFQ	1121	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	ufzvte		500MW	UMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								2 µa @ 3.5 v				6.8 v	8 옴
MTZJT-726.8B	-	RFQ	2665	Rohm 반도체	MTZ J	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 3%	-	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	MTZJT-72		500MW	MSD	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MTZJT726.8B	귀 99	8541.10.0050	5,000								2 µa @ 3.5 v				6.8 v	20 옴
RB522S-30FHTE61	-	RFQ	9464	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-RB52S-30FHTE61TR	쓸모없는		3,000
edz9hkte615.6b	-	RFQ	6844	Rohm 반도체	EDZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	edz9hkt		100MW	EMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-EDZ9HKTE615.6BTR	귀 99	8541.10.0050	3,000
RB510VM-40FHTE-17	0.0521	RFQ	3473	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	SC-90, SOD-323F	RB510	Schottky		UMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		480 mV @ 10 ma		2 µa @ 40 v	150 ° C (°)	100ma	-
yfzvfhtr2.7b	0.4300	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 3.93%	150 ° C (TJ)	표면 표면	2-SMD,, 리드	yfzvfhtr2.7		500MW	tumd2m	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 µa @ 1 v				2.8 v	100 옴
EDZFTE614.7B	-	RFQ	9178	Rohm 반도체	EDZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면		Edzft		100MW		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		846-EDZFTE614.7BTR	귀 99	8541.10.0050	3,000
RB520CM-60T2R	0.3100	RFQ	50	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	RB520	Schottky		vmn2m	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	8,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		440 mV @ 10 ma		3 µa @ 60 v	150 ° C (°)	100ma	-
RFN20NS3SFHTL	1.4400	RFQ	494	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	RFN20	기준		LPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		350 v		1.35 V @ 20 a	35 ns	10 µa @ 350 v	150 ° C (°)	20A	412pf @ 0V, 1MHz
EDZVT2R6.8B	0.3000	RFQ	11	Rohm 반도체	EDZV	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	EDZVT2		150 MW	EMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000								500 NA @ 3.5 v				6.8 v	40
RB058LAM-40TFTR	0.6100	RFQ	7	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	RB058	Schottky		pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		690 mV @ 3 a		5 µa @ 40 v	150 ° C (°)	3A	-
UFZVFHTE-1712B	0.3100	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.71%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	ufzvfhte		500MW	UMD2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								200 na @ 9 v				12 v	12 옴
RB480Y-40FHT2R	-	RFQ	1581	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-75-4, SOT-543		Schottky		EMD4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	846-RB480Y-40FHT2RTR	귀 99	8541.10.0070	8,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	40 v	200ma	550 mV @ 100 ma		10 µa @ 40 v	125 ° C (°)
BZX84C6V8LFHT116	0.1600	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5.88%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	SSD3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								2 µa @ 4 v				6.8 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (3328)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²